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公开(公告)号：CN117116904A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310584022.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H10B41/20 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B43/20 , H10B43/35 , H10B43/40 , G11C5/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一基板、在第一基板上的电路器件、以及连接到电路器件的下互连结构；以及在第一半导体结构上的第二半导体结构。第二半导体结构可以包括：具有第一区和第二区的第二基板；延伸穿过第二基板的基板绝缘层；延伸穿过基板绝缘层的着陆焊盘；栅电极，每个栅电极在第二区上具有拥有暴露的上表面的栅极焊盘区；以及栅极接触插塞，延伸穿过至少一个栅电极的栅极焊盘区并延伸到着陆焊盘中。着陆焊盘可以包括被基板绝缘层的内侧表面围绕的焊盘部分以及从焊盘部分延伸到下互连结构的通路部分。
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公开(公告)号：CN112310089A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010533632.X
申请日：2020-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 半导体存储器件包括设置在外围电路结构上并且在第一方向上彼此间隔开的水平图案。存储器结构设置在水平图案上。存储器结构包括源结构和电极结构。划分结构设置在第一方向上相邻的水平图案之间，并且被配置为将相邻的存储器结构的源结构彼此分开。蚀刻停止图案在低于源结构的高度的高度处设置在水平图案之间。蚀刻停止图案连接到划分结构的下部。
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公开(公告)号：CN1182191A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97117302.8
申请日：1997-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种热交换器翅片结构,该翅片结构包括:第一切口－突起部,它有多个片,每片的两个边从翅片上切开;第二切口－突起部,它有多个片,每片有一个与纵向中心线平行设置的桥,此中心线通过翅片上用于插入管子的孔的中心,以及把桥两端连在翅片表面上的桥柱;第三切口－突起部,它有多个组,每组有多个片;及第四切口－突起部,它有多个片,每片有一个与纵向中心线平行的中心线,该中心线的两端从翅片表面向上弯折。
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公开(公告)号：CN117677200A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311144112.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种竖直存储器件，包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在下焊盘图案上并包括第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分穿过单元堆叠结构的一部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的最上面栅极图案；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的在第一突起下方的侧壁，其中，从第一贯通部分起，在水平方向上第一绝缘图案比第一突起长，并且其中，第一突起的竖直厚度大于最上面栅极图案的竖直厚度。
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公开(公告)号：CN117479541A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310857894.5
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：基底；导电层；以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分；以及顺序堆叠的第二部分，其中，第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层；阻挡层上的第一导电层；以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度，第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度，并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133703A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010572363.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：沟道结构，布置在衬底上并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸，沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层；多个绝缘层，布置在衬底上并且围绕沟道结构，所述多个绝缘层在第一方向上彼此间隔开；围绕沟道结构的多个第一栅电极；以及围绕沟道结构的多个第二栅电极。在所述多个绝缘层之中的相邻绝缘层之间布置所述多个第一栅电极之中的第一栅电极和所述多个第二栅电极之中的第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极沿第一方向彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN119629994A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411268622.2
申请日：2024-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、存储器沟道结构和接触插塞。栅电极结构包括在垂直于基板的上表面的第一方向上在基板上顺序堆叠并彼此间隔开的栅电极。每个栅电极在基本上平行于基板的上表面的第二方向上延伸。存储器沟道结构延伸穿过栅电极结构。接触插塞部分地延伸穿过栅电极结构以接触栅电极当中的第一栅电极的上表面。接触插塞与第一栅电极上方的第二栅电极电绝缘。接触插塞的至少一部分具有在第一方向上从其顶部朝向底部以阶梯方式减小的宽度。
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公开(公告)号：CN117641915A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311087691.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底上的下电路图案；下电路图案上的共源极板(CSP)；栅电极结构，其包括在CSP上沿基本上垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，栅电极中的每一个在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第一绝缘图案结构，其位于CSP的在第二方向上与栅电极结构相邻的部分上；第一划分图案，其在CSP上沿第三方向延伸，第三方向基本上平行于衬底的上表面并且与第二方向交叉，第一划分图案延伸穿过栅电极结构的与第一绝缘图案结构相邻的部分并且在第二方向上分离栅电极结构。
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公开(公告)号：CN112563282A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010986152.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；沟道结构，其穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底；第一分离区，其穿透沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透第二衬底并具有由于宽度的改变而导致的弯曲部分。
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公开(公告)号：CN111863822A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010142200.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11575
Abstract: 一种三维(3D)半导体存储器件包括：第一半导体层和第二半导体层，彼此水平地间隔开；掩埋绝缘层，在第一半导体层和第二半导体层之间；设置在第一半导体层上的第一单元阵列结构和设置在第二半导体层上的第二单元阵列结构；以及隔离结构，设置在第一单元阵列结构和第二单元阵列结构之间的掩埋绝缘层上，其中第一单元阵列结构包括：电极结构，包括在垂直于第一半导体层的顶表面的方向上堆叠的电极；和第一源极结构，设置在第一半导体层和电极结构之间，第一源极结构延伸到掩埋绝缘层上，隔离结构在第一单元阵列结构的第一源极结构和第二单元阵列结构的第二源极结构之间。
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