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公开(公告)号：CN118434155A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410125987.3
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成底电极层；在底电极层上形成阻挡结构；在底电极层上执行第一沉积工艺以在底电极层上形成被钉扎磁性层、隧道势垒层和自由磁性层；在自由磁性层上执行第二沉积工艺以在自由磁性层上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成硬掩模之后执行蚀刻工艺以形成磁隧道结图案。第一沉积工艺可以包括朝向基板照射第一光束。第二沉积工艺可以包括朝向基板照射第二光束。相对于垂直于基板的上表面的法线，第二光束可以具有比第一光束更大的角度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119277953A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410545358.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：堆叠在衬底上的参考磁性图案和自由磁性图案；在参考磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案；在自由磁性图案上的第一非磁性图案，自由磁性图案在隧道势垒图案和第一非磁性图案之间；在第一非磁性图案上的第二非磁性图案，第一非磁性图案在自由磁性图案和第二非磁性图案之间；在第一非磁性图案和第二非磁性图案之间的金属图案；以及在第一非磁性图案的侧表面上的导电层。
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公开(公告)号：CN115207209A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210324734.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。
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公开(公告)号：CN115411063A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210577683.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
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公开(公告)号：CN114444249A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111289296.X
申请日：2021-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/20
Abstract: 一种半导体设计自动化系统包括：仿真器，其被配置为生成仿真数据；恢复模块，其被配置为校正仿真数据的采样错误以生成恢复仿真数据；硬件数据模块，其被配置为生成真实数据；预处理模块，其被配置为对真实数据进行预处理以生成预处理的真实数据；数据库，其被配置为存储恢复仿真数据和预处理的真实数据；第一图形用户界面，其包括自动仿真生成器，该自动仿真生成器被配置为生成恢复仿真数据和预处理的真实数据的机器学习模型并从机器学习模型生成预测的真实数据；以及第二图形用户界面，其包括可视化单元，该可视化单元被配置为从机器学习模型生成可视化的虚拟化工艺结果。
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