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公开(公告)号：CN109671645B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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公开(公告)号：CN102956813A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN1825541A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005803.1
申请日：2006-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897
Abstract: 在一个方面，提供一种自－对准的接触方法，其中衬底具有在衬底表面上隔开的多个结构，以及在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，牺牲膜的材料具有给定的承受温度。牺牲膜被构图，以露出邻近多个结构的衬底部分。在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理。绝缘层被平整，以露出牺牲膜，和牺牲膜被除去，以露出多个结构之间的各个区域。多个结构之间的各个区域用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN1733856A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084580.8
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/00 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。
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公开(公告)号：CN116249428A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211550191.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在基板上的第一磁性图案和第二磁性图案；在第一磁性图案和第二磁性图案之间的隧道势垒图案；在基板和第一磁性图案之间的下电极；在下电极和第一磁性图案之间的阻挡图案；在阻挡图案和第一磁性图案之间的金属氧化物图案；以及在金属氧化物图案和第一磁性图案之间的缓冲图案。下电极、阻挡图案、金属氧化物图案和缓冲图案分别包括第一非磁性金属、第二非磁性金属、第三非磁性金属和第四非磁性金属。金属氧化物图案具有非晶相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115411063A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210577683.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
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公开(公告)号：CN110911550A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910871580.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。
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公开(公告)号：CN103682084B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN1733856B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200510084580.8
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/00 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采用具有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。
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公开(公告)号：CN115707254A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210693231.X
申请日：2022-06-17
Abstract: 一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。
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