公开(公告)号：CN110504356A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/12

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN109755380A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811317780.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  金相局 ,  金哉勋 ,  卢恩仙 ,  吴世忠 ,  李成喆 ,  郑大恩

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。

公开(公告)号：CN115988950A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211187812.2

申请日：2022-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  郑峻昊 ,  赵泳俊

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在衬底上的被钉扎的磁性图案、隧道势垒图案、自由磁性图案、扩散阻挡图案、非磁性图案和覆盖图案。扩散阻挡图案包括第一非磁性金属和氧。非磁性图案包括第二非磁性金属和氧。第一非磁性金属的氧化物形成能低于第二非磁性金属的氧化物形成能。

公开(公告)号：CN107681046B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201710650619.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。

公开(公告)号：CN110504356B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN111180577B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201910733388.9

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  皮雄焕 ,  卢恩仙 ,  朴容星

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。

公开(公告)号：CN111223985B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN111312745A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN109935682B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201811398018.6

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  吴世忠 ,  尹相俊 ,  金哉勋 ,  南坰兑 ,  卢恩仙

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。

公开(公告)号：CN115768239A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211067312.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  申喜珠 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。