公开(公告)号：CN118695592A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410335676.X

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  李全一 ,  赵珉熙 ,  河大元

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供集成电路器件，包括：源线，所述源线在基板上在第一水平方向上延伸；沟道层，所述沟道层在竖直方向上延伸，设置在所述源线上，并具有第一侧壁和第二侧壁；俘获层，所述俘获层在所述沟道层的第一侧壁上并包括氧化物半导体；字线，所述字线在所述俘获层的至少一个侧壁上并在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述俘获层的至少一个侧壁与所述字线之间；以及位线，所述位线与所述沟道层电连接并在所述第一水平方向上延伸，其中所述沟道层具有第一带隙能，和所述俘获层具有大于所述第一带隙能的第二带隙能。

公开(公告)号：CN118400998A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410110483.4

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  严祥训 ,  赵珉熙 ,  河大元

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有在竖直方向上延伸的垂直有源部分和从垂直有源部分的上部区域弯曲的第一弯曲部分；栅电极，与有源图案间隔开，其中，栅电极的至少一部分面向垂直有源部分；蚀刻停止层，蚀刻停止层的至少一部分设置在栅电极的上表面与第一弯曲部分之间；介电层，介电层的至少一部分设置在有源图案与栅电极之间；以及接触插塞，设置在蚀刻停止层上并且至少穿透第一弯曲部分。

公开(公告)号：CN116997180A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310467637.0

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  具炳周 ,  金根楠 ,  李元锡 ,  郑文泳 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置可包括：位线，其在第一方向上延伸；半导体图案，其位于位线上，半导体图案包括在第一方向上彼此相对的第一竖直部分和第二竖直部分以及连接第一竖直部分和第二竖直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于水平部分上，分别与第一竖直部分和第二竖直部分相邻；以及栅极绝缘图案，其位于第一竖直部分和第一字线之间以及第二竖直部分和第二字线之间。水平部分的底表面可位于低于或等于位线的最上表面的高度处。

公开(公告)号：CN115942742A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210620882.6

申请日：2022-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括：位线，所述位线在第一方向上延伸；字线，所述字线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，所述沟道图案包括：连接到所述位线的水平沟道部分，以及从所述水平沟道部分起在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸的垂直沟道部分；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述字线与所述沟道图案之间。所述沟道图案的所述水平沟道部分可以被设置为平行于向所述第一方向和所述第二方向倾斜的第四方向。

公开(公告)号：CN115662991A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210585531.6

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  柳民泰 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  朴玄睦 ,  李基硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的导电线；在导电线上的第一栅电极；在第一栅电极上通过栅极隔离绝缘层分隔开的第二栅电极；在第一栅电极的侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层在它们之间；在第一栅电极的另一侧表面上的第一源极/漏极区；第二沟道层，在第二栅电极的在与第一沟道层相反的一侧的另一侧表面上并且第二栅极绝缘层在它们之间；在第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及第三源极/漏极区，在第一沟道层上以及在第二栅电极的与第一沟道层在同一侧的侧表面上。

公开(公告)号：CN111146200B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201911064310.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄汎傭 ,  赵珉熙 ,  金会承 ,  米尔科·坎托罗 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

公开(公告)号：CN118475114A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311566855.6

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元锡 ,  李周昊 ,  金承贤 ,  郑宇齐 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，可以包括：衬底；下导线，在衬底上；隔离绝缘层，在下导线上，并且包括沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽内，并且包括第一氧化物半导体材料；界面导电图案，在沟道结构的下表面与下导线之间；栅介电层，覆盖沟道沟槽内的沟道结构；上导线，在沟道沟槽内的栅介电层上；导电接触图案，在沟道结构上；界面氧化物半导体图案，在沟道结构与导电接触图案之间，并且包括第二氧化物半导体材料；以及电容器结构，包括与导电接触图案连接的下电极。

公开(公告)号：CN117119791A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310586525.7

申请日：2023-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李全一 ,  李炅奂 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一单晶半导体图案，包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的第一垂直沟道区，第二源极/漏极区在比第一源极/漏极区高的水平处；第一栅电极，面对第一单晶半导体图案的第一侧表面；第一栅极电介质层，该第一栅极电介质层包括在第一单晶半导体图案和第一栅电极之间的部分；以及互补结构，与第一单晶半导体图案的第二侧表面接触，其中互补结构包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN116113234A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211142787.6

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  裴东一 ,  李元锡 ,  金容锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：单元区和外围区；单元区中的基底绝缘层，包括相对的第一前表面和第一后表面；外围区中的第一半导体衬底，包括相对的第二前表面和第二后表面；第一前表面上的有源图案；第一导线，在有源图案的侧面上沿第一方向延伸；有源图案上的电容器结构；第二前表面上的第一电路元件；以及第二导线，在第一后表面和第二后表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。有源图案在与第一方向和第二方向交叉的竖直方向上延伸，以将第二导线电连接到电容器结构。

公开(公告)号：CN115394774A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210569674.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  李基硕 ,  李元锡 ,  柳民泰 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  柳成原

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：导电线，在衬底上在第一方向上延伸；绝缘图案层，在衬底上并具有在第二方向上延伸的沟槽，沟槽具有扩展到导电线中的扩展部分；沟道层，在沟槽的相对的侧壁上并连接到导电线的由沟槽暴露的区域；第一栅电极和第二栅电极，在沟道层上并分别沿着沟槽的相对的侧壁；栅极绝缘层，在沟道层与第一和第二栅电极之间；掩埋绝缘层，在沟槽内在第一栅电极和第二栅电极之间；以及第一接触和第二接触，分别被掩埋在绝缘图案层中并分别连接到沟道层的上部区域。