公开(公告)号：CN117153881A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310611948.X

申请日：2023-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  高到贤 ,  金彦起 ,  曹裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，衬底包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，栅极结构在衬底上与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，在有源区域上，多个沟道层在与衬底的上表面垂直的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构围绕；以及源极/漏极区域，源极/漏极区域在与栅极结构相邻的两侧位于有源区域的凹陷区域中，并且电连接到多个沟道层。多个沟道层中的每一个沟道层包括在第三方向上依次叠置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一半导体层和第三半导体层包括硅(Si)，并且第二半导体层包括硅锗(SiGe)。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的在第二方向上的侧表面与栅极结构接触。

公开(公告)号：CN117238919A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310568902.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  边晓训 ,  李南玹 ,  林圣根 ,  曺裕英

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。

公开(公告)号：CN117410315A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310314967.6

申请日：2023-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  曺裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括多个竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第一半导体图案和第二半导体图案是半导体图案中的两个相邻半导体图案；以及栅极绝缘层，置于栅电极的第一部分与第一半导体图案和第二半导体图案之间。第二半导体图案位于比第一半导体图案高的层处。第一半导体图案包括具有第一深度的第一沟道凹部，并且第二半导体图案包括具有小于第一深度的第二深度的第二沟道凹部。

公开(公告)号：CN118412350A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410111903.0

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林圣根 ,  高到贤 ,  金彦起 ,  边晓训 ,  曹裕英 ,  赵真英

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L23/50 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；保护层，其位于衬底的下表面上；蚀刻停止层，其位于保护层的下表面上；器件隔离层，其限定有源区域；栅极结构，其位于有源区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区域，其在栅极结构的两个横向侧上位于有源区域上；接触结构，其连接到源极/漏极区域；以及功率传输结构，其电连接到接触结构。

公开(公告)号：CN118352356A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311574033.2

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  金锡勋 ,  金彦起 ,  朴判贵 ,  林圣根 ,  曹裕英

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：后布线结构；绝缘衬底，设置在所述后布线结构上并且包括在第一水平方向上延伸的鳍结构；器件隔离层，设置在所述鳍结构之间；下绝缘层，覆盖所述鳍结构；栅极结构，在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个纳米片堆叠件，设置在所述下绝缘层上；第一源极/漏极区，设置在所述绝缘衬底上并且包括主体部分和垂直延伸部分，其中，所述主体部分设置在所述多个纳米片堆叠件之间，并且所述垂直延伸部分穿过所述下绝缘层并且至少部分地穿过对应的所述鳍结构；半导体外延结构，至少部分地围绕所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分；以及下接触，将所述半导体外延结构与所述后布线结构连接。