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公开(公告)号：CN117238919A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310568902.4
申请日：2023-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN118943185A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410559655.6
申请日：2024-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；第一下图案，在基板上；第二下图案，在第一下图案上；沟道图案，在第二下图案上；第一场绝缘层，在第一下图案的第一侧表面上；第二场绝缘层，在第一下图案的第二侧表面上；掩埋绝缘结构，在第一场绝缘层上并且在沟道图案的侧表面上；保护层，在第二场绝缘层上；源极/漏极图案，在每个沟道图案的相反两侧；以及栅电极，在沟道图案和掩埋绝缘结构周围延伸，其中保护层包括：在第一下图案和第二下图案之间以及在栅电极和第二场绝缘层之间的保护绝缘层；以及在保护绝缘层周围延伸的保护衬垫。
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公开(公告)号：CN112310219A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010564186.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一纳米线和第二纳米线，在第一区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第三纳米线和第四纳米线，在第二区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第一内间隔件，位于第一纳米线与第二纳米线之间，并且包括第一氢摩尔分数的氢；以及第二内间隔件，位于第三纳米线与第四纳米线之间，并且包括比第一氢摩尔分数大的第二氢摩尔分数的氢。
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公开(公告)号：CN117497537A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310423021.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/535
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。
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公开(公告)号：CN114551387A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111331262.2
申请日：2021-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的划分区域；在衬底上的第一和第二有源图案，并且划分区域插设在其间，第一和第二有源图案在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；栅电极，在第一方向上延伸并与第一和第二有源图案交叉；在第一有源图案上的第一沟道图案；以及在第二有源图案上的第二沟道图案。在第一方向上，第一有源图案的最小宽度可以小于第二有源图案的最小宽度。第一沟道图案的与划分区域相邻的端部可以包括在第一方向上延伸的突出部分，并且该突出部分在平面图中可以具有三角形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545897A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410489495.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置可包括：第一有源图案；第二有源图案，其与第一有源图案间隔开第一距离；第三有源图案，其与第二有源图案间隔开第二距离；第一器件隔离层，其在第一有源图案与第二有源图案之间；第二器件隔离层，其在第二有源图案与第三有源图案之间；第一沟道结构，其与第一有源图案重叠；第二沟道结构，其与第二有源图案重叠；第三沟道结构，其与第三有源图案重叠；以及分离电介质层，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间。分离电介质层可与第一器件隔离层重叠。第一器件隔离层的顶表面的水平高度可高于第二器件隔离层的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN119230595A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410486931.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一沟道分离结构和第二沟道分离结构，沿第一方向延伸，并且在第二方向彼此间隔开；第一栅极结构，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间在第一方向上彼此间隔开，与第一沟道分离结构和第二沟道分离结构接触；第一沟道图案和第二沟道图案，分别包括第一片状图案和第二片状图案，第一和第二片状图案在第三方向上彼此间隔开，与对应的第一和第二沟道分离结构接触；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在第一沟道分离结构与第二沟道分离结构之间，第一源/漏图案与第一沟道图案和第一沟道分离结构接触，第二源/漏图案与第二沟道图案和第二沟道分离结构接触；第一栅极分离结构，在第一源/漏图案与第二源/漏图案之间。
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公开(公告)号：CN118693090A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311132.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底；有源区域，从基底的上表面突出并且沿第一水平方向延伸；多个纳米片堆叠件，在有源区域上；多条栅极线，在有源区域上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸，并且围绕所述多个纳米片堆叠件；以及第一绝缘图案，在有源区域上在所述多个纳米片堆叠件之中的在第一水平方向上邻近的两个纳米片堆叠件之间，并且沿与第一水平方向和第二水平方向垂直的垂直方向延伸，其中，第一绝缘图案与所述多个纳米片堆叠件接触。
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公开(公告)号：CN114068719A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110862180.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。
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公开(公告)号：CN112133697A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010310463.3
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：衬底的第一区域中的多桥沟道型晶体管，其中所述多桥沟道型晶体管包括：衬底上的纳米片堆叠结构；纳米片堆叠结构上的第一栅介电层；以及第一栅介电层上的第一栅电极；以及衬底的第二区域中的鳍型晶体管，其中所述鳍型晶体管包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的第二栅介电层；以及第二栅介电层上的第二栅电极，其中纳米片堆叠结构的宽度大于有源鳍的宽度。
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