公开(公告)号：CN118785713A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410333448.9

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  金兑勇 ,  沈善一 ,  李旼熹 ,  张允瑄 ,  郑夏迎

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/50 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一衬底、以及在第一衬底上的下接合结构；以及第二半导体结构，包括第二衬底、以及接合到下接合结构的上接合结构。第二半导体结构还包括在第二衬底上的过孔图案、包括与第二衬底的材料不同的材料的源极接触焊盘、电连接到源极接触焊盘的源极接触插塞、在源极接触焊盘上的源极接触过孔、以及将过孔图案电连接到源极接触插塞的互连线。过孔图案的下表面比源极接触过孔的下表面更远离第一衬底，并且第二衬底的上表面比源极接触焊盘的上表面更远离第一衬底。