公开(公告)号：CN111977626A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010442550.4

申请日：2020-05-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司

Inventor： 金呤希 ,  曹正柱 ,  L.米拉 ,  S.帕特尔 ,  王琰 ,  胡彦彦 ,  权赫祚 ,  金世元 ,  金柱植 ,  郑成均

IPC: C01B25/45 ,  C01B25/455 ,  C01B33/20 ,  C01D15/04 ,  C01G35/00 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0565

Abstract: 本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y

公开(公告)号：CN114069029A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110900394.6

申请日：2021-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫祚 ,  郑成均 ,  金柱植

IPC: H01M10/0562

Abstract: 公开了固体离子导体及其制备方法、固体电解质、和电化学装置。所述固体离子导体包括由式1表示的石榴石型氧化物。在式1中，M1为单价阳离子、二价阳离子、三价阳离子、或其组合，M2为单价阳离子、二价阳离子、三价阳离子、或其组合，M3为二价阳离子、三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子、六价阳离子、或其组合，M4为Ir、Ru、Mn、Sn、或其组合，X为单价阴离子、二价阴离子、三价阴离子、或其组合，并且满足6≤A≤8，0≤B

公开(公告)号：CN112701257A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011138229.3

申请日：2020-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世元 ,  金柱植 ,  权赫祚 ,  金呤希 ,  金泫锡 ,  郑成均 ,  郑昌勋

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/40 ,  H01M4/42 ,  H01M4/44 ,  H01M4/46 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明涉及全固体二次电池、制造全固体二次电池的方法、和受保护的电极。全固体二次电池包括：包括正极活性材料的正极层；负极层；以及设置在所述正极层和所述负极层之间的包括固体电解质的固体电解质层，其中所述负极层包括负极集流体、与所述固体电解质层接触的第一负极活性材料层、以及设置在所述负极集流体和所述第一负极活性材料层之间的第二负极活性材料层，其中所述第一负极活性材料层包括第一金属并且具有比所述固体电解质的还原电位大的锂离子还原电位，和其中所述第二负极活性材料层包括第二金属，并且锂(Li)在所述第二金属中的固溶度大于锂在所述第一金属中的固溶度。

公开(公告)号：CN111977626B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202010442550.4

申请日：2020-05-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  弗罗里达州大学研究基金会(有限)公司

Inventor： 金呤希 ,  曹正柱 ,  L.米拉 ,  S.帕特尔 ,  王琰 ,  胡彦彦 ,  权赫祚 ,  金世元 ,  金柱植 ,  郑成均

IPC: H01M10/0562 ,  C01B25/45

Abstract: 本发明涉及固体导体、其制备方法、包括固体导体的固体电解质和包括固体导体的电化学装置。固体导体，包括：由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1和2中，M为具有+4的氧化值的元素，Q为具有+4的氧化值的元素，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0≤x≤2，0≤y

公开(公告)号：CN113937347A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202010743255.2

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金呤希 ,  王琰 ,  L.米亚拉 ,  权赫祚 ,  金世元 ,  金柱植 ,  V.罗夫 ,  李明镇 ,  郑成均

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  C01G1/02

Abstract: 本发明涉及氧化物、其制备方法、包括氧化物的固体电解质和包括氧化物的电化学装置。氧化物包括由式1表示的化合物、由式2表示的化合物、或其组合，其中，在式1中，M为具有5+或6+的氧化数的元素，Q为具有4+的氧化数的元素，X为卤素原子、拟卤素、或其组合，0≤x

公开(公告)号：CN113764724A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110612555.1

申请日：2021-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑成均 ,  权赫祚 ,  尹钾仁 ,  金柱植

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

Abstract: 本发明涉及固体电解质、其制备方法、包括其的经保护的正极、电化学电池和电化学设备。固体电解质，其包括由式1或3表示的化合物，所述化合物具有‑30℃或更低的玻璃化转变温度、和玻璃或玻璃‑陶瓷结构，其中，在式1中，Q为Li、或者Li与如下的组合：Na、K或其组合，M为三价阳离子、或其组合，X为不同于F的卤素、拟卤素、OH、或其组合，Z为单价阴离子、或其组合，1

公开(公告)号：CN112331908A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010742426.X

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫祚 ,  郑成均 ,  金呤希 ,  金世元 ,  金柱植

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  C01G1/02

Abstract: 本发明涉及氧化物、其制备方法、包括氧化物的固体电解质和包括氧化物的电化学装置。氧化物包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，6≤x≤8，0≤y

公开(公告)号：CN115244752A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019477.2

申请日：2021-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世元 ,  郑成均 ,  铃木直毅 ,  聪藤木 ,  辻村知之 ,  权赫祚 ,  金柱植

IPC: H01M10/0585 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052

Abstract: 全固体二次电池包括：正极；负极；以及设置在所述正极和所述负极之间的固体电解质层，其中所述负极包括：负极集流体；与所述负极集流体接触并且包括第一金属的第一负极活性材料层；设置在所述第一负极活性材料层和所述固体电解质层之间并且包括含碳的活性材料的第二负极活性材料层；和接触层，所述接触层在所述第二负极活性材料层和所述固体电解质层之间，并且设置成使得所述接触层防止在所述第二负极活性材料层和所述固体电解质层之间的接触，其中所述接触层包括第二金属，并且具有比所述第一负极活性材料层的厚度小的厚度。