公开(公告)号：CN1619817A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。

公开(公告)号：CN100442517C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。