公开(公告)号：CN100479113C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN1838514B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200510105405.2

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相薰 ,  李亨哲 ,  安详镕 ,  成春模 ,  金润奭 ,  边范宁

IPC: H02K29/00 ,  H02K1/27

CPC classification number: H02K1/276 ,  H02K29/03

Abstract: 本发明提供了一种无刷DC电机能防止磁通的断开并最小化磁通的泄漏，由此减小转矩脉动。多个防磁通断开孔被布置在其中装配有磁铁的安装孔之间的转子芯的外边界中。所述多个防磁通断开孔在第一线两侧对称，并且第一线和第二线之间的角度大约是15～20。，所述第一线连接转子芯的中心和相邻的安装孔之间的中心，所述第二线连接转子芯的中心和所述多个防磁通断开孔的最外端。所述转子芯的外边界和所述多个防磁通断开孔的外边界之间的长度小于转子芯和定子之间的间距。

公开(公告)号：CN1734727A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN1619817A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。

公开(公告)号：CN100442517C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。

公开(公告)号：CN1838514A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510105405.2

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相薰 ,  李亨哲 ,  安详镕 ,  成春模 ,  金润奭 ,  边范宁

IPC: H02K29/00 ,  H02K1/27

CPC classification number: H02K1/276 ,  H02K29/03

Abstract: 本发明提供了一种无刷DC电机能防止磁通的断开并最小化磁通的泄漏，由此减小转矩脉动。多个防磁通断开孔被布置在其中装配有磁铁的安装孔之间的转子芯的外边界中。所述多个防磁通断开孔在第一线两侧对称，并且第一线和第二线之间的角度大约是15～20°，所述第一线连接转子芯的中心和相邻的安装孔之间的中心，所述第二线连接转子芯的中心和所述多个防磁通断开孔的最外端。所述转子芯的外边界和所述多个防磁通断开孔的外边界之间的长度小于转子芯和定子之间的间距。