公开(公告)号：CN107068821A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610878813.X

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建勋 ,  沈恩德 ,  尹晳胡 ,  李庭旭 ,  李焘英 ,  李基元 ,  金喆敏 ,  南泰邦

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/52 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/025 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/52

Abstract: 本文公开了一种材料层堆叠件、一种发光元件、一种发光封装件和一种制造发光元件的方法。所述材料层堆叠件包括：具有第一晶格常数的衬底；以及在衬底上生长的半导体层，所述半导体层具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数。通过利用该材料层堆叠件，可获得具有低漏电流、低操作电压和优异的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN103426982A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310196886.7

申请日：2013-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基镐 ,  金起成 ,  金喆敏 ,  尹皙胡 ,  李泰泫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。