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公开(公告)号：CN115241191A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111505121.8
申请日：2021-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；电容器，在基底的单元阵列区域上；外围晶体管，在基底的外围电路区域上；第一上层间绝缘层，在电容器和外围晶体管上；第一上接触件，电连接到外围晶体管中的至少一个，第一上接触件穿透第一上层间绝缘层；第一上互连线，设置在第一上层间绝缘层上并且电连接到第一上接触件；第二上层间绝缘层，覆盖第一上互连线；以及第一阻挡层，在第一上层间绝缘层与第二上层间绝缘层之间。在第一上互连线与第一上层间绝缘层之间不存在第一阻挡层。
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公开(公告)号：CN113745225A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110465554.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。
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公开(公告)号：CN110739266B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201910653663.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。
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公开(公告)号：CN110783259A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910671212.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。
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公开(公告)号：CN118159021A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311625804.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包含第一浓度的氘；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底上并在第一水平方向上延伸；栅电极，所述栅电极设置在所述有源图案上并在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源图案和所述栅电极之间，所述栅极绝缘层包含第二浓度的氘；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层设置在所述栅电极上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层设置在所述第一层间绝缘层上；以及布线图案，所述布线图案设置在所述第二层间绝缘层内部，所述布线图案包含低于所述第一浓度的第三浓度的氘，其中所述第一浓度至所述第三浓度中的每一者是相同单位体积中包含的氘原子的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745196A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110193507.3
申请日：2021-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/108 , H01L27/24
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；单元晶体管，在衬底的单元阵列区域上；外围晶体管，在衬底的外围电路区域上；第一互连层，连接到单元晶体管；第二互连层，连接到外围晶体管；层间电介质层，覆盖第一互连层；以及阻挡层，与第一互连层间隔开，该阻挡层覆盖第二互连层的顶表面和侧壁。
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公开(公告)号：CN110739266A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910653663.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。
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公开(公告)号：CN118119180A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311589201.5
申请日：2023-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元区域和围绕单元区域的外围区域；下电极，在衬底的单元区域上沿竖直方向延伸；上电极，围绕下电极的侧壁和顶表面；电容器介电层，设置在下电极和上电极之间；第一阻挡层，设置在上电极上，第一阻挡层与上电极的侧壁和顶表面中的每一个接触；第一层间绝缘层，覆盖第一阻挡层，第一层间绝缘层包括与第一阻挡层的材料不同的材料；以及第一接触部，在竖直方向上贯穿第一阻挡层和第一层间绝缘层，第一接触部连接到上电极。
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公开(公告)号：CN109817620B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811381520.6
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。
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公开(公告)号：CN115732465A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210862274.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50
Abstract: 提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，第二导电层在第一导电层上，其中，上表面保护层覆盖第二导电层的上表面，并且侧表面保护层覆盖第一导电层的侧表面和第二导电层的侧表面，并且其中，上表面保护层和侧表面保护层中的每个包括具有比第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。
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