公开(公告)号：CN110739266A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN101499488A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W－Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W－Ni合金薄层。该W－Ni合金薄层中Ni的重量在该W－Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN114203672A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110884964.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在珍 ,  H.金 ,  朴在花 ,  林东灿

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供布线结构、其制造方法以及具有其的集成电路芯片。一种布线结构包括：填充金属；在填充金属上的包括钴(Co)的覆盖金属，该覆盖金属具有沿着填充金属的侧表面和沿着填充金属的下表面的第一部分、以及沿着填充金属的上表面的第二部分；在覆盖金属的第一部分的外表面上的阻挡金属；以及在覆盖金属的第二部分的外表面上的封盖金属，该封盖金属包括钴(Co)合金，其中填充金属具有比覆盖金属和阻挡金属高的传导率。

公开(公告)号：CN103681573A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310366956.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  文光辰 ,  朴炳律

IPC: H01L23/495 ,  H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN103035646A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367959.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  姜晚锡 ,  朴嬉淑 ,  孙雄喜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供了包括含金属导线的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，其中具有沟槽；含金属阻挡层，沿沟槽的内壁延伸并定义沟槽中的布线空间，该布线空间具有沿第一方向的第一宽度；以及含金属导线，在含金属阻挡层上且在布线空间中，并包括具有沿第一方向的大约第一宽度的颗粒直径的至少一个金属颗粒。

公开(公告)号：CN101499488B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN110739266B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910653663.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶根 ,  朴在花 ,  金埈宽 ,  文孝贞 ,  朴承钟 ,  裵涩琪

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝缘膜，在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第三层间绝缘膜，其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二气体的化学气相沉积而形成。

公开(公告)号：CN115241133A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111570177.1

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  金汶根 ,  金硕壎 ,  林东灿

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了用于制造半导体装置的方法。根据公开的示例性实施例的半导体装置制造方法包括：对基底进行图案化，从而形成有源图案；形成穿透有源图案的沟槽；形成覆盖沟槽的支撑层；在支撑层处形成第一开口；通过第一开口形成填充沟槽的栅电极层；以及形成电连接到有源图案的位线结构。支撑层包括覆盖有源图案的顶表面的基部以及设置在沟槽中的支撑部。

公开(公告)号：CN110783259A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910671212.5

申请日：2019-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  朴在花 ,  安商燻

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。

公开(公告)号：CN109817620B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811381520.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  安商熏 ,  韩奎熙 ,  朴在花 ,  朴嬉淑

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。