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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109243507A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810754203.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/30 , G11C16/32 , G11C7/1057 , G11C7/12
Abstract: 页缓冲器包括第一预充电电路、第二预充电电路和读出放大电路。第一预充电电路包括用于对连接到非易失性存储单元的位线预充电的第一路径。第二预充电电路包括用于对连接到位线的感测节点预充电的第二路径。第二路径与第一路径电分离。感测节点用于检测非易失性存储单元的状态。读出放大电路连接到感测节点和第二预充电电路，并且存储表示非易失性存储单元的状态的状态信息。第二预充电电路被配置为对感测节点执行第一预充电操作，并且被配置为基于第一预充电操作之后非易失性存储单元的状态来选择性地对感测节点执行第二预充电操作。
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公开(公告)号：CN111798886A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010200570.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，其中所述内部电压电路向所述页缓冲器电路提供所述至少一个内部电压；向所述页缓冲器电路提供用于形成在所述内部电压电路和不用于在所述页缓冲器电路中进行缓冲的所述多个页缓冲器中的第一页缓冲器的第一电节点之间、在对所述多个页缓冲器中的第二页缓冲器的第一锁存器的设定操作期间的电连接的控制信号。
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公开(公告)号：CN111798886B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010200570.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 提供了一种控制存储器设备方法，该存储器设备包括页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器包括至少一个锁存器。该方法包括：由内部电压电路生成内部电压当中的用于所述页缓冲器电路的操作的至少一个内部电压，其中所述内部电压电路向所述页缓冲器电路提供所述至少一个内部电压；向所述页缓冲器电路提供用于形成在所述内部电压电路和不用于在所述页缓冲器电路中进行缓冲的所述多个页缓冲器中的第一页缓冲器的第一电节点之间、在对所述多个页缓冲器中的第二页缓冲器的第一锁存器的设定操作期间的电连接的控制信号。
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公开(公告)号：CN116828858A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211630158.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：CSL驱动器，在衬底上；CSP，在CSL驱动器上；栅电极结构，在CSP上并且包括在垂直于衬底上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极，每一个栅电极在平行于衬底上表面第二方向上延伸；存储器沟道结构，在CSP上并且延伸穿过栅电极结构并连接到CSP；第一上布线结构，接触CSP的上表面；第一贯通过孔，沿第一方向延伸穿过CSP并电连接到第一上布线结构和CSL驱动器，但不接触CSP；以及虚设布线结构，接触CSP的上表面，但不电连接到CSL驱动器。
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公开(公告)号：CN109243507B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810754203.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 页缓冲器包括第一预充电电路、第二预充电电路和读出放大电路。第一预充电电路包括用于对连接到非易失性存储单元的位线预充电的第一路径。第二预充电电路包括用于对连接到位线的感测节点预充电的第二路径。第二路径与第一路径电分离。感测节点用于检测非易失性存储单元的状态。读出放大电路连接到感测节点和第二预充电电路，并且存储表示非易失性存储单元的状态的状态信息。第二预充电电路被配置为对感测节点执行第一预充电操作，并且被配置为基于第一预充电操作之后非易失性存储单元的状态来选择性地对感测节点执行第二预充电操作。
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