公开(公告)号：CN1881600A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510126893.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正卓 ,  浅羽哲朗 ,  金利泰 ,  金廷妍 ,  黄圣仁

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。

公开(公告)号：CN101494795B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200810209886.5

申请日：2008-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷妍 ,  田中大通 ,  金镇学

IPC: H04N9/04

CPC classification number: H04N9/045

Abstract: 一种包括排列成多个重复的2×2单元像素群的颜色选择传感器的阵列的设备。单元像素群每一个传感器选用包括绿色成分的颜色。该单元像素群包含对于各个第一和第二颜色选择的各个传感器和对于第三颜色选择的两个传感器。来自该单元像素群的传感器的信号限定第一颜色信号空间，并且该设备还包括图像处理器电路，其配置成从该颜色选择传感器的阵列接收图像传感器信号以及处理该图像传感器信号，从而在第二颜色信号空间中产生图像信号。

公开(公告)号：CN101494795A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810209886.5

申请日：2008-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷妍 ,  田中大通 ,  金镇学

IPC: H04N9/04

CPC classification number: H04N9/045

Abstract: 一种包括排列成多个重复的2×2单元像素群的颜色选择传感器的阵列的设备。单元像素群每一个传感器选用包括绿色成分的颜色。该单元像素群包含对于各个第一和第二颜色选择的各个传感器和对于第三颜色选择的两个传感器。来自该单元像素群的传感器的信号限定第一颜色信号空间，并且该设备还包括图像处理器电路，其配置成从该颜色选择传感器的阵列接收图像传感器信号以及处理该图像传感器信号，从而在第二颜色信号空间中产生图像信号。