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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116613162A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310099129.1

申请日：2023-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 , 金必光 , 柳主馨 , 金成玟 , 朴容喜 , 宋映锡 , 冈垣健

IPC: H01L27/092 , H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。

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