公开(公告)号：CN116613162A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310099129.1

申请日：2023-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  金必光 ,  柳主馨 ,  金成玟 ,  朴容喜 ,  宋映锡 ,  冈垣健

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。

公开(公告)号：CN114823666A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111570992.8

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  洪炳鹤 ,  全辉璨 ,  黃寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种堆叠半导体器件和制造其的方法，该堆叠半导体器件包括：衬底；第一晶体管，形成在衬底上，并包括被第一栅极结构和第一源极/漏极区围绕的第一有源区；以及第二晶体管，堆叠在第一晶体管上，并包括被第二栅极结构和第二源极/漏极区围绕的第二有源区，其中，关于其间的虚拟平面，第一有源区和第一栅极结构分别与第二有源区和第二栅极结构垂直镜像对称。

公开(公告)号：CN112103247A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010455683.5

申请日：2020-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善培 ,  宋昇炫 ,  金基一 ,  郑荣采

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/763 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种垂直场效应晶体管(VFET)的鳍状结构及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成多个芯轴，在所述芯轴之间具有至少一个第一间隙；分别在所述芯轴的侧表面上形成多个第一间隔物，使得在所述第一间隔物之间形成至少一个小于所述第一间隙的第二间隙；在所述第一间隔物的侧表面上形成第二间隔物；去除所述芯轴和所述第一间隔物，保留所述第二间隔物；去除所述第二间隔物的预定部分，使得剩余的第二间隔物在俯视图中具有二维形状；以及去除所述衬底的不在所述剩余的第二间隔物下方的部分和所述剩余的第二间隔物，使得所述衬底位于所述剩余的第二间隔物下方的部分形成所述鳍状结构。

公开(公告)号：CN115706115A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210926084.6

申请日：2022-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  洪炳鹤 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种多堆叠半导体器件，包括：下堆叠晶体管结构，包括下有源区和下栅极结构，下有源区包括下沟道结构，下栅极结构围绕下沟道结构；上堆叠晶体管结构，垂直堆叠在下堆叠晶体管结构之上，并且包括上有源区和上栅极结构，上有源区包括上沟道结构，上栅极结构围绕上沟道结构；至少一个栅极接触插塞，接触下栅极结构的顶表面，其中下栅极结构和上栅极结构在平面图中具有基本相同的尺寸，并且其中下栅极结构在垂直方向上不与上栅极结构完全重叠。

公开(公告)号：CN111696986A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010155202.9

申请日：2020-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都桢湖 ,  宋昇炫

IPC: H01L27/092

Abstract: 集成电路器件可以包括在一个方向上彼此间隔开的有源区。有源区可以包括第一对有源区、第二对有源区和第三对有源区。第一对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离，第二对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离，且第三对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离。第二对有源区可以在所述方向上与第一对有源区和第三对有源区间隔开第二距离，并且第一距离可以短于第二距离。

公开(公告)号：CN115347043A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210522604.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  宋昇炫 ,  金基一 ,  曹健浩 ,  徐康一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开提供了纳米片晶体管器件及其形成方法。纳米片晶体管器件包括晶体管堆叠，该晶体管堆叠包括具有第一纳米片宽度和下栅极宽度的下纳米片晶体管。该晶体管堆叠还包括上纳米片晶体管，该上纳米片晶体管在下纳米片晶体管上并具有分别与第一纳米片宽度和下栅极宽度不同的第二纳米片宽度和上栅极宽度。

公开(公告)号：CN111146276B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201911021682.3

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  郑荣采

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括在竖直方向上从衬底突出的沟道区、第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区可以与所述沟道区竖直地交叠。所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区分别与所述沟道区的第一部分和第二部分接触，所述沟道区的所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分可以包括在垂直于所述竖直方向的第一水平方向上纵向延伸的第一沟道区和在垂直于所述竖直方向并且横穿所述第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸的第二沟道区。所述集成电路器件还可以包括栅极结构，所述栅极结构位于所述沟道区的相对的竖直侧面上。

公开(公告)号：CN116868689A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280014138.X

申请日：2022-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  金亨性 ,  罗鐞梨 ,  赵泰衡

IPC: H05B6/12

Abstract: 所公开的烹饪设备可包括：板，包括多条照明线；多个发光元件，形成所述多条照明线；调节器，包括显示器并且可拆卸地附接到所述板的调节器区域；容器传感器，被构造为检测位于所述板的上表面上的容器；通信装置，被构造为与所述调节器通信；以及控制器，被构造为基于由所述容器传感器获得的容器信息或通过所述调节器输入的命令控制所述多个发光元件通过所述多条照明线中位于容器区域的外边缘上的至少一条照明线发光，并且控制所述调节器显示关于所述容器区域的操作信息。

公开(公告)号：CN115206969A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210392095.0

申请日：2022-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  宋昇炫 ,  朴玺韩 ,  李昇映 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种多堆叠半导体器件包括：多个下晶体管结构，布置在下堆叠上并包括分别被多个下栅极结构围绕的多个下鳍结构；多个上晶体管结构，布置在上堆叠上并包括分别被多个上栅极结构围绕的多个上鳍结构；以及在下堆叠上的下扩散中断结构和在上堆叠上的上扩散中断结构中的至少一个，其中下扩散中断结构形成在两个相邻下栅极结构之间，并使分别包括所述两个相邻下栅极结构的两个下晶体管结构彼此隔离，上扩散中断结构形成在两个相邻上栅极结构之间，并使分别包括所述两个相邻上栅极结构的两个上晶体管结构彼此隔离。

公开(公告)号：CN114823662A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210037009.4

申请日：2022-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  宋昇炫 ,  河大元 ,  徐康一 ,  J.马蒂诺

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提出了具有混合栅极/电中断的半导体器件及其制造方法，其允许在堆叠晶体管器件的一个层级的晶体管器件之间的电或扩散中断，而不必要求在堆叠晶体管器件的另一层级中存在类似的电或扩散中断。还提出，晶体管器件之间的电中断可以通过提供第一极性的沟道以及包括相反极性的功函数金属的伪栅极来形成。