公开(公告)号：CN117795453A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280053734.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵俊来 ,  金明宣 ,  李明哲 ,  金淇元 ,  李勋基 ,  赵祐瑨

IPC: G06F1/16 ,  H04R1/28 ,  H04R9/02 ,  H04R9/06

Abstract: 在包括包含多孔片的扬声器的电子装置中，扬声器可以包括：主体；声音发生器，包括音圈、用于围绕音圈的声音体和至少一部分暴露于声音体外部的端子；印刷电路板，连接到端子并延伸到主体的外部；以及多孔片，插入主体中并与端子间隔开。

公开(公告)号：CN103456770A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310219256.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN101065925B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200580039561.1

申请日：2005-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李栽兴 ,  金明宣 ,  韩声休 ,  刘容国 ,  金奉禅 ,  尹映善

IPC: H04L9/32

CPC classification number: H04L9/0822 ,  H04L63/062 ,  H04L2209/60 ,  H04L2463/101

Abstract: 在家庭网络中接收会话密钥的方法和使用其再现内容的方法。该从家庭网络中的家庭服务器中接收会话密钥的方法，包括：(a)只要家庭网络的成员之一改变，即接收并存储会话密钥和表示会话密钥产生顺序的会话版本；(b)接收用于再现预定内容所需的许可证；以及(c)基于编码会话版本(ESV)——其为从许可证中提取的会话版本——和所存储的会话版本确定用于再现预定内容所需的会话密钥。只要家庭网络的订户改变，即家庭服务器传输会话密钥和会话版本至用户设备，用户设备用会话版本确定会话密钥，因而通过自由地在用户设备之间传输内容进行各种域管理。

公开(公告)号：CN101188250B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710305140.X

申请日：2007-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金明宣 ,  李化成 ,  上野哲嗣 ,  李浩 ,  李智惠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅-锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。

公开(公告)号：CN100474806C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410080323.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘容国 ,  金明宣 ,  崔良林 ,  张容珍

IPC: H04L9/30 ,  H04L12/28

CPC classification number: H04L63/0435 ,  G06Q20/3829 ,  H04L9/0822 ,  H04L9/3263 ,  H04L63/0823 ,  H04L2209/60

Abstract: 一种基于公共密钥密码术创建域的方法，包括：由提供内容的服务器提供请求内容的设备列表，并由用户从该列表中选择设备；由服务器发送关于撤销的设备的鉴别信息到该设备；由已经接收到鉴别信息的设备从鉴别信息中提取保密值，使用提取的保密值准备证书，并发送该设备的设备信息和证书到服务器；由服务器核实该证书并且使用该设备信息创建域ID和域密钥；由服务器使用该设备的唯一公共密钥加密域ID和域密钥并发送加密的域ID和域密钥到该设备；和由该设备使用该设备的唯一密钥恢复域密钥。

公开(公告)号：CN101262332A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810004561.3

申请日：2008-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱学树 ,  金明宣 ,  文智瑛

IPC: H04L9/08 ,  H04L29/06

CPC classification number: G06F21/10 ,  G06F21/445

Abstract: 提供一种用于在移动装置和主机装置之间相互认证的方法和系统。移动装置存储第一秘密密钥，并连接到主机装置。所述方法包括：使用第一秘密密钥以及从主机装置接收的通过预定方法加密的第一数据产生第二秘密密钥。所述方法还包括：将通过预定方法加密的第二数据发送到主机装置，以用于产生媒体密钥；对第二秘密密钥执行运算，并将产生的运算值发送到主机装置；执行移动装置和主机装置之间的相互认证。

公开(公告)号：CN101246533A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009584.3

申请日：2008-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐周希 ,  金明宣 ,  朱学树 ,  文智瑛 ,  朴美花

IPC: G06F21/00

CPC classification number: G06F21/10 ,  G06F2221/0742 ,  G06F2221/2137

Abstract: 提供一种用于管理数字内容的方法和装置。用于管理通过应用数字权利管理(DRM)生成的数字内容的装置包括：执行数字内容的内容执行单元；以及控制单元，用于确认数字内容是否在所述数字内容能被正常地执行的第一期限中，以及控制所述内容执行单元以便，如果所述数字内容是在第一期限中，那么所述数字内容能被正常地，以及如果所述数字内容在不在第一期限中的第二期限中，那么以与在第一期限中执行的那些方式不同的方式执行所述数字内容。根据所述装置以及方法，能控制临近期满的数字内容的执行，从而为用户管理所述数字内容的期满。

公开(公告)号：CN101188424A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710102205.0

申请日：2007-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金明宣 ,  朱学树 ,  文智瑛 ,  徐周希 ,  朴美花

IPC: H03M7/30 ,  G06F21/24

CPC classification number: H04L9/0836 ,  H04L2209/60

Abstract: 提供了一种对内容文件进行编码/解码的方法。对内容文件进行解码的方法包括：将编码的内容文件分为多个数据块；将所述多个数据块组合成多个组；对于所述多个组中的每个组产生组内容密钥；从对于所述多个组产生的组内容密钥，产生用于所述多个组中的每个组的数据块的多个块密钥；以及使用所述多个块密钥对所述多个数据块进行解码。

公开(公告)号：CN101188250A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710305140.X

申请日：2007-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金明宣 ,  李化成 ,  上野哲嗣 ,  李浩 ,  李智惠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅－锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。

公开(公告)号：CN101156344A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011595.4

申请日：2006-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩声休 ,  金明宣 ,  尹映善 ,  李善男 ,  金奉禅 ,  李栽兴

IPC: H04L9/00

CPC classification number: H04L9/3236 ,  H04L2209/60

Abstract: 一种测量往返时间(RTT)的方法以及使用测量RTT方法的邻近性检查方法。测量RTT的方法包括：发送散列化的第二随机数并启动RTT测量；从接收了散列化的第二随机数的装置接收散列化的第一随机数并终止RTT测量，从而大大减少了在使用重复RTT测量的邻近性检查中的重复加密和解密操作。