公开(公告)号：CN101651115B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200910163305.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵在豪 ,  权五益 ,  金汎洙 ,  金明哲 ,  金东灿

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/06 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。

公开(公告)号：CN101651115A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910163305.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵在豪 ,  权五益 ,  金汎洙 ,  金明哲 ,  金东灿

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/06 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。