公开(公告)号：CN110875327A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910834101.1

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安圣洙 ,  孙龙勋 ,  金民爀 ,  闵在豪 ,  张大铉

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。装置可包括：衬底，其包括单元区域和延伸区域；以及导电层，其在竖直方向上堆叠在单元区域上。导电层可延伸到延伸区域上并且可在延伸区域上具有阶梯结构。装置还可包括：竖直结构，其位于衬底上。每个竖直结构可在竖直方向上延伸，并且竖直结构可包括在单元区域上的第一竖直结构和在延伸区域上的第二竖直结构。第一竖直结构可延伸穿过导电层并且可包括第一沟道层，第二竖直结构可处于阶梯结构中并且可包括第二沟道层，并且第二沟道层可在竖直方向上与衬底间隔开。

公开(公告)号：CN107393929A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710344167.3

申请日：2017-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金爀 ,  郑丞弼 ,  闵在豪

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

Abstract: 本公开提供半导体芯片。一种半导体芯片包括在基板上的周边电路区域。半导体芯片包括在周边电路区域上的半导体层。半导体芯片包括在半导体层上的单元区域。而且，半导体芯片包括与半导体层相邻的层/连接器。还提供制造半导体芯片的方法。

公开(公告)号：CN102024779B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010282946.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载煌 ,  李宰翰 ,  闵在豪 ,  金建秀

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11521 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件中的图案结构及其形成方法。该图案结构包括延伸线和与该延伸线的端部连接的焊垫。该焊垫可具有比该延伸线的宽度更大的宽度。该焊垫包括从该焊垫的侧部延伸的突出部分。该图案结构可通过简化的工艺形成且可用于需要微小图案和焊垫的各种半导体器件中。

公开(公告)号：CN101651115B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200910163305.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵在豪 ,  权五益 ,  金汎洙 ,  金明哲 ,  金东灿

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/06 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。

公开(公告)号：CN101764122A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266337.6

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴荣周 ,  闵在豪 ,  金明哲 ,  金东灿 ,  沈载煌

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/482 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有窄导线图案的半导体装置及其形成方法，其中使用双图案化，多个图案同时形成为具有不同宽度且某些区域的图案密度增加。该半导体装置包括多条导线，每条导线包括第一线部分和第二线部分，其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分从所述第一线部分的一端沿第二方向延伸，并且第一方向与第二方向不同；多个接触垫，每个接触垫经由相应导线的第二线部分与多条导线中的相应导线相连；以及多条虚设导线，每条虚设导线包括第一虚设部分，该第一虚设部分沿第二方向从多个接触垫的相应接触垫平行于相应第二线部分延伸。

公开(公告)号：CN107393929B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201710344167.3

申请日：2017-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金爀 ,  郑丞弼 ,  闵在豪

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

Abstract: 本公开提供半导体芯片。一种半导体芯片包括在基板上的周边电路区域。半导体芯片包括在周边电路区域上的半导体层。半导体芯片包括在半导体层上的单元区域。而且，半导体芯片包括与半导体层相邻的层/连接器。还提供制造半导体芯片的方法。

公开(公告)号：CN101764122B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN200910266337.6

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴荣周 ,  闵在豪 ,  金明哲 ,  金东灿 ,  沈载煌

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/482 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有窄导线图案的半导体装置及其形成方法，其中使用双图案化，多个图案同时形成为具有不同宽度且某些区域的图案密度增加。该半导体装置包括多条导线，每条导线包括第一线部分和第二线部分，其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分从所述第一线部分的一端沿第二方向延伸，并且第一方向与第二方向不同；多个接触垫，每个接触垫经由相应导线的第二线部分与多条导线中的相应导线相连；以及多条虚设导线，每条虚设导线包括第一虚设部分，该第一虚设部分沿第二方向从多个接触垫的相应接触垫平行于相应第二线部分延伸。

公开(公告)号：CN102024779A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010282946.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载煌 ,  李宰翰 ,  闵在豪 ,  金建秀

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11521 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件中的图案结构及其形成方法。该图案结构包括延伸线和与该延伸线的端部连接的焊垫。该焊垫可具有比该延伸线的宽度更大的宽度。该焊垫包括从该焊垫的侧部延伸的突出部分。该图案结构可通过简化的工艺形成且可用于需要微小图案和焊垫的各种半导体器件中。

公开(公告)号：CN101651115A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910163305.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵在豪 ,  权五益 ,  金汎洙 ,  金明哲 ,  金东灿

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/06 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。