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公开(公告)号：CN110391266A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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公开(公告)号：CN110931632B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910540101.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
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公开(公告)号：CN110391266B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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公开(公告)号：CN110931632A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910540101.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
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