公开(公告)号：CN107968150B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710794979.8

申请日：2017-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熏 ,  孙明秀 ,  徐辅永

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 公开了一种制造磁存储器件的方法。制造磁存储器件的该方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触。

公开(公告)号：CN110391266A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910302589.3

申请日：2019-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙明秀 ,  高昇必 ,  李桢赫 ,  韩慎熙 ,  高宽协 ,  宋胤宗

IPC: H01L27/22

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。

公开(公告)号：CN110391266B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201910302589.3

申请日：2019-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙明秀 ,  高昇必 ,  李桢赫 ,  韩慎熙 ,  高宽协 ,  宋胤宗

IPC: H10B61/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。

公开(公告)号：CN107968150A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710794979.8

申请日：2017-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熏 ,  孙明秀 ,  徐辅永

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/5607 ,  G11C14/0036 ,  G11C19/02 ,  G11C2211/5615 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 公开了一种制造磁存储器件的方法。制造磁存储器件的该方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触。