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公开(公告)号：CN118055683A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311471276.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
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公开(公告)号：CN118870960A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311592445.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和外围区域；底部电极，所述底部电极与所述单元区域交叠；磁性隧道结图案，所述磁性隧道结图案位于所述底部电极上；顶部电极，所述顶部电极位于所述磁性隧道结图案上；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层与所述外围区域交叠；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与所述顶部电极的侧表面和所述缓冲绝缘层的顶表面接触；以及第一外围导电结构，所述第一外围导电结构穿透所述覆盖绝缘层和所述缓冲绝缘层。所述缓冲绝缘层的所述顶表面与所述顶部电极的顶表面之间的高度差可以小于所述覆盖绝缘层的厚度。
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公开(公告)号：CN117794251A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311254558.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔开。外围导电接触连接到外围导电线。单元下导电线和外围下导电线分别连接到下电极接触和外围导电接触。单元下导电线和外围下导电线在相同的高度处。彼此直接相邻的单元下导电线的节距比彼此直接相邻的外围下导电线的节距更大。
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公开(公告)号：CN110391266A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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公开(公告)号：CN117641939A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311080019.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的绝缘层以及穿过蚀刻停止层和绝缘层的接触结构，该接触结构包括第一导电层、具有面向第一导电层的侧表面和下表面的第二导电层、在第二导电层的上表面上的第三导电层、以及在第一导电层和第二导电层之间以及在第二导电层和第三导电层之间的自然氧化物膜，第一至第三导电层包括金属或金属氮化物，并且自然氧化物膜包括金属氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987561B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201810559303.5
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及位于所述外围区上的第二部分。所述第二部分的底表面的水平高度低于所述顶盖绝缘层的底表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN108987561A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810559303.5
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L23/53295 , H01L27/224 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及位于所述外围区上的第二部分。所述第二部分的底表面的水平高度低于所述顶盖绝缘层的底表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN117062448A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310509405.7
申请日：2023-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了磁性存储器件和包括其的电子设备。磁性存储器件包括：顺序堆叠在第一衬底区域上的第一上绝缘层和第二上绝缘层以及第一模制层；在第一上绝缘层中沿第一方向间隔开的第一初级布线结构和第一次级布线结构；在第二上绝缘层中位于第一初级布线结构上的第二布线结构和位于第一次级布线结构上的参考布线结构；位于第二布线结构上的第一结构；位于参考布线结构上的第二结构；在第一模制层中位于第二布线结构与第一结构之间并且不位于参考布线结构与第二结构之间的下电极接触；位于第一结构上的位线结构；以及位于第二结构上的参考位线结构。第一结构和第二结构均包括下电极、MTJ结构、中间电极和上电极。
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公开(公告)号：CN110391266B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910302589.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上的栅极结构；源极接触和漏极接触，分别位于栅极结构的相对侧处，并连接到衬底；磁隧道结，连接到漏极接触；第一导线，连接到源极接触；以及第二导线，通过第一通路接触连接到第一导线。第二导线相对于第一导线远离衬底。第一导线和第二导线沿第一方向平行地延伸。第一导线和第二导线在与第一方向交叉的第二方向上具有宽度。第一导线的宽度和第二导线的宽度相同。第一通路接触沿与衬底的顶表面垂直的第三方向与源极接触对齐。
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公开(公告)号：CN101354915A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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