公开(公告)号：CN100533744C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610004871.6

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  韩祯希 ,  朴玩濬 ,  金元柱 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0554 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。

公开(公告)号：CN101276819A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087429.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金志永 ,  王康龙 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  朴赞真

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹陷，以便在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。在多个第一沟槽内部的第二半导体层表面上提供多个第一存储节点。该器件还包括多个第一控制栅电极，其形成于多个第一存储节点上，用于填充多个第一沟槽。

公开(公告)号：CN1841683A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1825594A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610004871.6

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  韩祯希 ,  朴玩濬 ,  金元柱 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0554 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。

公开(公告)号：CN100552899C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN101005095A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710001739.4

申请日：2007-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金是垠 ,  白昇宰 ,  霍宗亮 ,  吕寅硕 ,  林昇炫 ,  韩祯希

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。

公开(公告)号：CN1881592A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106197.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑渊硕 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  金柱亨 ,  韩祯希 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第二电压是负电压。

公开(公告)号：CN1881592B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610106197.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑渊硕 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  金柱亨 ,  韩祯希 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第一电压是正电压，第二电压是负电压，该SONOS存储器件是电子在写入时被俘获在俘获层中的N+型存储器件。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。