公开(公告)号：CN100508109C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200510096517.6

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  崔相俊

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01G9/00 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。

公开(公告)号：CN1990909A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610121476.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李明宰 ,  具俊谟 ,  徐范锡

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种在低于450℃的低温下利用有机－金属蒸发法形成碳纤维的方法。该形成碳纤维的方法包括：在将基底装入反应室中之后，加热该基底并将基底保持在200～450℃的温度下；制备含Ni的有机金属化合物；通过蒸发该有机金属化合物，形成有机金属化合物蒸汽；及通过促进所述反应室中有机金属化合物蒸汽与含臭氧的反应气体之间的化学反应，在基底上形成碳纤维。

公开(公告)号：CN102253764A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110033974.6

申请日：2011-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  朴星昊 ,  宋利宪 ,  田尚勋

IPC: G06F3/042

CPC classification number: H03K17/78 ,  H03K17/941

Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。

公开(公告)号：CN100530698C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510092117.8

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  徐范锡

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。

公开(公告)号：CN1741250A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510096517.6

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  崔相俊

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01G9/00 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。

公开(公告)号：CN100585899C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510098148.4

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙 ,  朴星昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/70

CPC classification number: C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。

公开(公告)号：CN100552899C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN100466262C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200410102185.3

申请日：2004-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李正贤

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/75

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该半导体器件电容器的方法。该电容器含下电极层、介电层和上电极层，介电层由钽氧化物和周期表第5族元素的氧化物如铌氧化物或钒氧化物形成。因此，能够通过在低的温度下热处理介电层而使介电层具有电特性，并保证整个电容的结构稳定性。

公开(公告)号：CN102253764B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201110033974.6

申请日：2011-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  朴星昊 ,  宋利宪 ,  田尚勋

IPC: G06F3/042

CPC classification number: H03K17/78 ,  H03K17/941

Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。

公开(公告)号：CN1841683A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。