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公开(公告)号：CN106803532B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN107452871B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710351707.0
申请日：2017-05-18
Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
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公开(公告)号：CN107452871A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710351707.0
申请日：2017-05-18
Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴-铁-铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
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公开(公告)号：CN106803532A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN103545443A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310291393.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性器件及其制造方法。磁性器件包括存储单元，该存储单元包括磁阻器件以及上部电极和下部电极，其中磁阻器件夹在上部电极和下部电极之间，以向磁阻器件施加电流。磁阻器件包括：缓冲层，其控制用于诱导磁阻器件中的垂直磁各向异性（PMA）的晶轴，该缓冲层与下部电极接触；籽晶层，其与缓冲层接触并且取向为密排六方晶格（HCP）（0001）晶面；以及垂直磁化钉扎层，其与籽晶层接触并且具有L11型有序结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468425B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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公开(公告)号：CN102024903A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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公开(公告)号：CN104282832B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410291400.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。
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公开(公告)号：CN104282832A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410291400.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。
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公开(公告)号：CN102024903B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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