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公开(公告)号：CN106160692B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201510166329.X
申请日：2015-04-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件。所述晶体振荡器包括晶体构件、分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极和形成在激发电极上的至少一个弯曲振动抑制部。多个弯曲振动抑制部按照图案的形式或台阶的形式形成，并被设置为按照与晶体构件中产生的弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开或者被设置为非周期性地彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN107529685B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710320471.4
申请日：2017-05-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及包括该体声波谐振的滤波器。所述体声波谐振器包括：基板；第一电极和第二电极，形成在所述基板上；及压电层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一电极和所述第二电极中的任意一个或两个包括钼与钨的重量比在3:1至1:3的范围内的钼‑钨合金。
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公开(公告)号：CN106505964B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201610523219.9
申请日：2016-07-05
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种压电振荡器及其制造方法，所述压电振荡器包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上。根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1‑L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107529685A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201710320471.4
申请日：2017-05-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及包括该体声波谐振的滤波器。所述体声波谐振器包括：基板；第一电极和第二电极，形成在所述基板上；及压电层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一电极和所述第二电极中的任意一个或两个包括钼与钨的重量比在3:1至1:3的范围内的钼-钨合金。
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公开(公告)号：CN106505964A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610523219.9
申请日：2016-07-05
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种压电振荡器及其制造方法，所述压电振荡器包括：振荡基板，包括振荡部和环绕部，其中，所述环绕部比所述振荡部薄；以及振荡电极，被配置在所述振荡部的上表面和下表面上。根据H＝400.59×S+1.75±1.5构造所述振荡基板，其中，H＝100×(T2/T1)，并且S＝T2/(L1-L2)，其中，L1表示所述振荡基板的整个长度，L2表示所述振荡部的长度，T1表示所述振荡部的厚度，T2表示在所述振荡部与所述环绕部之间的台阶高度。
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公开(公告)号：CN105281703A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510127760.3
申请日：2015-03-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种压电振动构件、压电振动装置及制造压电振动构件的方法，所述压电振动构件可包括：振动基底；结合部和电极部，设置在振动基底的表面上；不平坦结构，突出地设置在结合部上；激励电极，设置在电极部上；端子电极，设置在结合部上，并且电连接至激励电极，其中，不平坦结构的高度与电极部的高度相同。
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公开(公告)号：CN106160692A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510166329.X
申请日：2015-04-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件。所述晶体振荡器包括晶体构件、分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极和形成在激发电极上的至少一个弯曲振动抑制部。多个弯曲振动抑制部按照图案的形式或台阶的形式形成，并被设置为按照与晶体构件中产生的弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开或者被设置为非周期性地彼此间隔开。
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