多层电子组件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112309718B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202010717584.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt%至99.6wt%的Ni和0.4wt%至6.0wt%的Cu。

    多层电子组件和片式组件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114551099A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111181200.8

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和片式组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的一个内电极包括Ni、Ba、Ti、O和Tb,并且相对于Ni、Ba、Ti、O和Tb的总含量,Tb的含量为0.45wt%至3.0wt%。

    多层电子组件
    3.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN112908696A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202010661592.7

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极交替地堆叠且所述介电层介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的至少一个内电极在所述主体的长度方向上的端部比所述内电极的中央部厚,并且所述端部的厚度t2与所述中央部的厚度t1的比t2/t1满足1.1≤t2/t1≤1.5。

    多层电子组件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112309718A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010717584.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt%至99.6wt%的Ni和0.4wt%至6.0wt%的Cu。

    多层电容器及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116825540A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310820095.0

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器及其制造方法。所述多层电容器包括主体、外电极和绝缘层,所述主体包括堆叠结构,在所述堆叠结构中堆叠有多个介电层和多个内电极,并且相应的介电层介于所述多个内电极之间,所述外电极设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极,所述绝缘层覆盖所述主体的表面。所述外电极中的至少一个外电极包括连接到所述绝缘层的金属层,并且所述绝缘层包含所述金属层的金属组分的氧化物。

    多层电子组件及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114551094A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111105806.3

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极与所述介电层交替地堆叠;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极,其中,所述内电极包括Cu和Ni,并且在所述内电极的距与所述介电层的界面5nm深的区域中的基于重量比的Cu/Ni的变异系数(CV)值为25.0%或更小。

    多层电子组件
    9.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114520113A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202111300050.8

    申请日:2021-11-04

    Inventor: 赵珉贞 吴由弘

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括交替堆叠的介电层和内电极,且所述介电层介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的一个内电极包含Ni,并且所述内电极中的所述一个内电极中包含的Ni的晶格常数满足至的范围。

    多层电容器及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114446657A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202110890469.7

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器及其制造方法。所述多层电容器包括主体、外电极和绝缘层,所述主体包括堆叠结构,在所述堆叠结构中堆叠有多个介电层和多个内电极,并且相应的介电层介于所述多个内电极之间,所述外电极设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极,所述绝缘层覆盖所述主体的表面。所述外电极中的至少一个外电极包括连接到所述绝缘层的金属层,并且所述绝缘层包含所述金属层的金属组分的氧化物。

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