介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件

    公开(公告)号:CN110323059B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201811360659.2

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 本发明提供一种介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包含:基体材料粉末,包含BamTiO3(0.995≤m≤1.010);第一辅助成分,包含与元素周期表的第5族中的过渡金属对应的至少一种元素;第二辅助成分,包含Si离子、Si的氧化物、Si的碳化物和Si的水合物中的至少一种;第三辅助成分,包含元素周期表的第4周期或更高周期中的至少一种元素;以及第四辅助成分,包含元素周期表的第3周期中的至少一种元素,其中,0.70×B≤C+D≤1.50×B以及0.20≤D/(C+D)≤0.80,其中,B为第二辅助成分的总含量,C为第三辅助成分的总含量,D为第四辅助成分的总含量。

    多层电容器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110838407A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201811549336.8

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括主体和多个外电极,所述主体包括利用多个介电层和多个内电极形成的堆叠结构。每个外电极包括导电层和覆盖所述导电层的镀层,所述导电层设置在所述主体的相应的端部并且连接到所述多个内电极的相应部分。每个导电层包括镍(Ni)和钛酸钡(BT),并且相应的所述导电层的截面中被镍占据的面积相对于所述截面的总面积的比率为30%至65%。

    介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件

    公开(公告)号:CN110323059A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201811360659.2

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 本发明提供一种介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包含:基体材料粉末,包含BamTiO3(0.995≤m≤1.010);第一辅助成分,包含与元素周期表的第5族中的过渡金属对应的至少一种元素;第二辅助成分,包含Si离子、Si的氧化物、Si的碳化物和Si的水合物中的至少一种;第三辅助成分,包含元素周期表的第4周期或更高周期中的至少一种元素;以及第四辅助成分,包含元素周期表的第3周期中的至少一种元素,其中,0.70×B≤C+D≤1.50×B以及0.20≤D/(C+D)≤0.80,其中,B为第二辅助成分的总含量,C为第三辅助成分的总含量,D为第四辅助成分的总含量。

    半导体封装件
    7.
    发明公开
    半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号:CN112086412A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201911224907.5

    申请日:2019-12-04

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有设置有连接垫的有效表面和设置为与所述有效表面背对的无效表面;散热构件,设置在所述半导体芯片的所述无效表面上,具有多个孔并且包括石墨基材料;包封剂,覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分;以及连接构件,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接垫的重新分布层。0

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