公开(公告)号：CN102166574B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201010211960.4

申请日：2010-06-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐正旭 ,  南孝昇 ,  柳荣球 ,  金京美 ,  金宗植 ,  金兑浩

IPC: B08B3/04 ,  B08B3/12

CPC classification number: C11D7/261 ,  C11D7/12 ,  C11D7/247 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0029

Abstract: 本发明涉及一种用于清洁金属纳米颗粒的方法，该方法用于去除在包括表面活性剂的有机溶剂相中制备的金属纳米颗粒表面上残留的表面活性剂、有机物质和氯离子。本文中用于清洁金属纳米颗粒的方法能有效去除在纳米颗粒表面上残留的有机物质或氯离子。通过这种方法可以去除不少于90％的杂质。结果，能够降低多层陶瓷电容器(MLCC)的厚度，并且能够提高填充因子，使得其允许多层陶瓷电容器更薄并改善了金属纳米颗粒作为燃料电池催化剂、氢化反应催化剂、化学反应中铂(Pt)的可替换催化剂等的效用。

公开(公告)号：CN102166574A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010211960.4

申请日：2010-06-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐正旭 ,  南孝昇 ,  柳荣球 ,  金京美 ,  金宗植 ,  金兑浩

IPC: B08B3/04 ,  B08B3/12

CPC classification number: C11D7/261 ,  C11D7/12 ,  C11D7/247 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0029

Abstract: 本发明涉及一种用于清洁金属纳米颗粒的方法，该方法用于去除在包括表面活性剂的有机溶剂相中制备的金属纳米颗粒表面上残留的表面活性剂、有机物质和氯离子。本文中用于清洁金属纳米颗粒的方法能有效去除在纳米颗粒表面上残留的有机物质或氯离子。通过这种方法可以去除不少于90％的杂质。结果，能够降低多层陶瓷电容器(MLCC)的厚度，并且能够提高填充因子，使得其允许多层陶瓷电容器更薄并改善了金属纳米颗粒作为燃料电池催化剂、氢化反应催化剂、化学反应中铂(Pt)的可替换催化剂等的效用。

公开(公告)号：CN102086516A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010148361.2

申请日：2010-04-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 权赫辰 ,  南孝昇 ,  金兑浩 ,  金宗植 ,  徐正旭

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/42 ,  C23C18/32 ,  H05K3/18

CPC classification number: H05K3/244 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/2086 ,  H05K2203/073 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本发明披露了一种包含氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液、以及一种通过使用上述溶液来防止坏镀层的方法，上述溶液可以在印刷电路板的无电镀以前使用以防止坏镀层。更具体地说，本发明披露了一种包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液，其可以在印刷电路板的ENIG镀或ENEPIG镀以前使用以防止坏镀层。本发明还披露了一种通过在具有精细图案的印刷电路板的表面处理期间将由镀层扩展引起的图案之间的短路缺陷降低到最小的用于防止坏镀层的方法。