公开(公告)号：CN1767283A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510080013.5

申请日：2005-06-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 文基愿 ,  朴钟翼 ,  金裕承 ,  吴蕙兰

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供了一种能抑制由于其输出增加引起的远场水平(FFH)变化的高输出半导体激光装置及其制造方法。根据本发明的半导体激光装置包括第一导电型的第一覆层，形成在衬底上；活性层，形成在第一覆层上；第二导电型的第二覆层，形成在活性层上，并包含具有脊状结构的上部区域，其中第二覆层具有至少一个插入脊状结构的高折射率层，该高折射率层具有高于第二覆层的折射率。

公开(公告)号：CN1767285A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510080012.0

申请日：2005-06-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴钟翼 ,  金裕承 ,  文基愿 ,  吴蕙兰

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01S3/08086 ,  H01S3/0809

Abstract: 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。

公开(公告)号：CN100380755C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510080012.0

申请日：2005-06-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴钟翼 ,  金裕承 ,  文基愿 ,  吴蕙兰

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01S3/08086 ,  H01S3/0809

Abstract: 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层、和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层、和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。