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公开(公告)号：CN100380755C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510080012.0
申请日：2005-06-24
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S3/08086 , H01S3/0809
Abstract: 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层、和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层、和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。
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公开(公告)号：CN105957690B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610044512.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01F17/0013 , H01F27/255 , H01F27/292 , H05K2201/1003
Abstract: 本公开涉及一种线圈组件和具有该线圈组件的板。所述线圈组件包括：磁体，包括分别设置在彼此分开的两个基板的第一表面上的第一线圈图案和第二线圈图案，以及分别设置在所述两个基板的第二表面上的第三线圈图案和第四线圈图案，所述基板具有各自的芯；第一外电极至第四外电极，设置在所述磁体的外表面上，并分别连接至第一线圈图案至第四线圈图案。间隙构件设置在所述两个基板之间，并位于所述磁体的在磁体的厚度方向上的中部。
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公开(公告)号：CN105826046B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510849718.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01F2017/048
Abstract: 一种线圈组件，包括：磁体，包括第一线圈图案和第二线圈图案以及第三线圈图案和第四线圈图案，第一线圈图案和第二线圈图案分别设置在彼此分隔开并具有芯的两个基底的第一表面上，第三线圈图案和第四线圈图案分别设置在所述两个基底的第二表面上；和第一外电极至第四外电极，设置在所述磁体的外周表面上并分别连接到的第一线圈图案至第四线圈图案。间隙构件设置在所述两个基底之间，同时位于磁体的厚度方向上的上部区域和下部区域的至少一个中。
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公开(公告)号：CN111799053B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201911070745.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 朴钟翼
IPC: H01F5/04
Abstract: 本发明提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，具有彼此背对的一个表面和另一表面，并且包括分别连接所述一个表面和所述另一表面的多个壁表面；线圈部，嵌入所述主体中；第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且分别连接到所述线圈部；凹槽，沿着所述主体的所述另一表面的边缘连续地形成；以及应力消除部，设置在所述主体的所述另一表面上以填充所述凹槽的至少一部分。
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公开(公告)号：CN1599156A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200310123248.9
申请日：2003-12-19
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L33/483 , H01L2224/48091 , H01S5/02244 , H01S5/02469 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种具有PCB型引线框架的激光二极管。在该激光二极管中，发光元件用于发射激光束。框架单元具有安装发光元件的上部并用于辐射在形式激光束期间产生的热量。外壳具有用于容纳框架单元的内部空间和与内部空间连通并允许激光束通过的射出孔。印刷电路板(PCB)具有形成在PCB的上表面上的多个图形电极，该图形电极与发光元件电连接。本发明的半导体激光二极管具有简单结构以便于组装工艺、提高了生产率、节省了制造成本和增加了辐射表面面积，由此提高了热辐射特性。本发明还可以在工作人员在组装线上操作部件时防止工作人员的手指直接接触发光元件，以便精确部件不被污染或损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767283A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510080013.5
申请日：2005-06-24
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种能抑制由于其输出增加引起的远场水平(FFH)变化的高输出半导体激光装置及其制造方法。根据本发明的半导体激光装置包括第一导电型的第一覆层，形成在衬底上；活性层，形成在第一覆层上；第二导电型的第二覆层，形成在活性层上，并包含具有脊状结构的上部区域，其中第二覆层具有至少一个插入脊状结构的高折射率层，该高折射率层具有高于第二覆层的折射率。
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公开(公告)号：CN111799053A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911070745.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 朴钟翼
IPC: H01F5/04
Abstract: 本发明提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，具有彼此背对的一个表面和另一表面，并且包括分别连接所述一个表面和所述另一表面的多个壁表面；线圈部，嵌入所述主体中；第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且分别连接到所述线圈部；凹槽，沿着所述主体的所述另一表面的边缘连续地形成；以及应力消除部，设置在所述主体的所述另一表面上以填充所述凹槽的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105957690A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610044512.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01F17/0013 , H01F27/255 , H01F27/292 , H05K2201/1003 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H05K1/182
Abstract: 本公开涉及一种线圈组件和具有该线圈组件的板。所述线圈组件包括：磁体，包括分别设置在彼此分开的两个基板的第一表面上的第一线圈图案和第二线圈图案，以及分别设置在所述两个基板的第二表面上的第三线圈图案和第四线圈图案，所述基板具有各自的芯；第一外电极至第四外电极，设置在所述磁体的外表面上，并分别连接至第一线圈图案至第四线圈图案。间隙构件设置在所述两个基板之间，并位于所述磁体的在磁体的厚度方向上的中部。
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公开(公告)号：CN105826046A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510849718.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01F2017/048
Abstract: 一种线圈组件，包括：磁体，包括第一线圈图案和第二线圈图案以及第三线圈图案和第四线圈图案，第一线圈图案和第二线圈图案分别设置在彼此分隔开并具有芯的两个基底的第一表面上，第三线圈图案和第四线圈图案分别设置在所述两个基底的第二表面上；和第一外电极至第四外电极，设置在所述磁体的外周表面上并分别连接到的第一线圈图案至第四线圈图案。间隙构件设置在所述两个基底之间，同时位于磁体的厚度方向上的上部区域和下部区域的至少一个中。
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公开(公告)号：CN1767285A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510080012.0
申请日：2005-06-24
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S3/08086 , H01S3/0809
Abstract: 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。
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