公开(公告)号：CN115895662B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN115895661A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210954854.8

申请日：2022-08-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李智惠 ,  尹志贤 ,  李圭原 ,  赵娟振 ,  文炯朗 ,  黄基煜 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。

公开(公告)号：CN115895662A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。