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公开(公告)号:CN115895662A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211018998.9
申请日:2022-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;以及硅烷化合物,其中,该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
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公开(公告)号:CN115895662B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202211018998.9
申请日:2022-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;以及硅烷化合物,其中,该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
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公开(公告)号:CN119828412A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411350373.1
申请日:2024-09-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种选自用于从含金属抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物及含金属抗蚀剂的显影剂组合物的组合物、以及使用所述组合物形成图案的方法,所述组合物包括:包含至少两个酮基的化合物;以及包含选自乙酸酯类溶剂及醇类溶剂中的至少一者的有机溶剂,其中以组合物的总重量计,以约10重量%至约70重量%的量包括包含至少两个酮基的化合物,且以组合物的总重量计,以约30重量%至约90重量%的量包括有机溶剂。
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