公开(公告)号：CN116482935A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211535262.9

申请日：2022-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  金荣权 ,  许伦旼 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  李圭原 ,  崔正敏 ,  朴哲弘 ,  高武铉 ,  裴相元 ,  金贞儿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。

公开(公告)号：CN115895662A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN115895661A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210954854.8

申请日：2022-08-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李智惠 ,  尹志贤 ,  李圭原 ,  赵娟振 ,  文炯朗 ,  黄基煜 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。

公开(公告)号：CN115895662B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。