公开(公告)号：CN1787226A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510130113.4

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐诚模

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 一种有机发光显示器和构造该有机发光显示器的方法。该有机发光显示器包括：基底，具有多个像素区域；薄膜晶体管，形成在基底的各像素区域上并包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；滤色器层，形成在各像素区域的晶体管上；第一电极，图案化以通过滤色器层中的通孔与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个接触；像素限定层，具有开口，形成所述开口以暴露第一电极的一部分；发射层，形成在暴露的第一电极上；第二电极，在基底的上形成在发射层上。因此，通过在薄膜晶体管和第一电极之间形成滤色器层而不形成钝化层可简化工艺，通过当粘附滤色器层时增大上基底和下基底之间的对准边缘部分来提高工艺的稳定性，并能够使顶发射和底发射容易。

公开(公告)号：CN1702532A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073821.9

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金昌树 ,  姜泰旭 ,  郑仓龙 ,  吴栽荣 ,  朴商一 ,  徐诚模

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲结构的TFT、一种制造该TFT的方法、一种具有该TFT的平板显示器和制造该显示器的方法。TFT包括：第一缓冲层，包含设置于衬底上的非晶硅；和第二缓冲层，设置于第一缓冲层上。TFT还包括：半导体层，设置于第二缓冲层上；和栅电极，设置于半导体层上。双缓冲结构对从衬底扩散的杂质提供更好的阻挡，且还作为黑底以减少不需要的反射，且是氢源以钝化其它层。

公开(公告)号：CN100454604C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510056503.1

申请日：2002-08-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐诚模 ,  具在本

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。

公开(公告)号：CN1222043C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02156956.8

申请日：2002-08-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐诚模 ,  具在本

IPC: H01L27/12 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。

公开(公告)号：CN1668151A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510056503.1

申请日：2002-08-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐诚模 ,  具在本

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。

公开(公告)号：CN1417863A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02156956.8

申请日：2002-08-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐诚模 ,  具在本

IPC: H01L27/12 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。