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公开(公告)号：CN1737883A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510071767.4
申请日：2005-03-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G02F1/136204
Abstract: 本发明涉及一种具有抗静电结构的平板显示器，该平板显示器包括：形成于绝缘衬底上的多个栅极线和数据线，所述衬底具有发射区和焊垫部分；最初耦合栅极线的抗静电线和耦合数据线的抗静电电路。在栅极线和邻近栅极线之间的抗静电线随后被开口切开用于切开抗静电线以电隔离各个栅极线。
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公开(公告)号：CN100357991C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510071767.4
申请日：2005-03-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136204
Abstract: 本发明涉及一种具有抗静电结构的平板显示器，该平板显示器包括：形成于绝缘衬底上的多个栅极线和数据线，所述衬底具有发射区和焊垫部分；最初耦合栅极线的抗静电线和耦合数据线的抗静电电路。在栅极线和邻近栅极线之间的抗静电线随后被开口切开用于切开抗静电线以电隔离各个栅极线。
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公开(公告)号：CN1329997C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03108621.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。
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公开(公告)号：CN101261956A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810082619.6
申请日：2008-02-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3276 , H01L51/5218
Abstract: 本发明公开了一种制造显示装置的方法，该方法减少了焊盘电极的损坏。该方法包括以下步骤：在第一基底上的像素区中形成薄膜晶体管，并同时在第一基底上的焊盘区中形成焊盘电极；形成连接到薄膜晶体管的第一像素电极，并同时形成覆盖焊盘电极的焊盘保护层；通过去除焊盘保护层暴露焊盘电极。
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公开(公告)号：CN1725911A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079545.7
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/524
Abstract: 一种平板显示装置，包括：其上形成有一发光装置的一基板；形成在所述基板上的一密封基板；以及形成在所述密封基板上以保护所述发光装置的一保护板。所述保护板的内表面上形成多个槽，以增加保护板的弯曲阻抗，分散施加到平板显示器的载荷力，并且减少形成在平板显示器中的发光装置由于载荷而损坏的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1215568C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02105822.9
申请日：2002-04-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/78621
Abstract: 一种平板显示器及其制造方法。显示器至少包括第一至第四薄膜晶体管。方法包括：提供具有非显示区和显示区的衬底；在衬底上形成第一至第四薄膜晶体管的第一至第四半导体层；在衬底整个表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一至第四导电构图和像素电极；形成第一至第四栅电极和第五导电构图；在第一、三和四半导体层内离子注入第一导电类型的高密度杂质，形成第一导电类型的高密度源极和漏极区；将第一至第四栅电极用作蚀刻掩模蚀刻第一至第四导电构图；形成光致抗蚀剂构图以暴露非显示区与第二半导体层对应的部分；第二半导体层内离子注入第二导电类型的高密度杂质以形成第二导电类型的高密度源极和漏极区。
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公开(公告)号：CN1575078A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046556.0
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H05B33/28 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H05B33/10
Abstract: 本发明公开了一种采用多层型像素电极的有机电致发光器件及其制造方法。该有机电致发光器件包括：衬底；位于该衬底上预定区域中的第一像素电极；以及位于该第一像素电极上且完全覆盖该第一像素电极的第二像素电极。于是，消除了因原电池现象导致的膜破损。
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公开(公告)号：CN1262020C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02152426.2
申请日：2002-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L21/265 , G02F1/136 , H01J9/02 , G09F9/30
CPC classification number: H01L51/5284 , G02F1/133512 , G02F1/13439 , H01L27/3248 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5265 , H05B33/28
Abstract: 本发明公开了一种改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法。该方法包括在一个衬底上形成透明导电膜；以及将高能量源注入到该透明导电膜中，以改变透明导电膜的透射率。
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公开(公告)号：CN1728895A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510089643.9
申请日：2005-06-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , G09G3/32 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , G09G2330/08
Abstract: 提供了一种有源矩阵电致发光显示装置，其中可以基本上避免相邻的子像素中的电源线和数据线之间的短路。该有源矩阵电致发光显示装置包括：电源线；设置在电源线的一侧并电连接到电源线的第一晶体管；设置在电源线的另一侧并电连接到电源线的第二晶体管；以及分别电连接到第一晶体管和第二晶体管的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN1725511A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079257.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/52
Abstract: 公开一种半导体器件及制造方法，当形成半导体层及源和漏电极的接触孔、正电极以源和漏电极的通孔、金属互连线间的通孔或通孔接触孔时，使用高腐蚀速率和高选择性干法腐蚀的至少一种进行干法腐蚀且在最终腐蚀处理中进行湿法腐蚀，可形成具不同圆锥角的多种轮廓的接触孔、通孔或通孔接触孔，且湿法干法处理时可完全去除腐蚀产生的残渣，由此可使接触孔、通孔和通孔接触孔具有优良接触特性。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管；及穿透栅绝缘层和层间电介质并暴露半导体层表面且具有多种轮廓的接触孔，接触孔上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法和干法腐蚀轮廓的至少一种。
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