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公开(公告)号：CN102113098A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129912.6
申请日：2009-06-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , C09K13/02
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅，其是含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、以及(C)二氧化碳(CO2)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液。
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公开(公告)号：CN102027579A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980116681.5
申请日：2009-04-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、且使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅。
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公开(公告)号：CN101313391A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043485.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了半导体表面处理剂以及使用该半导体表面处理剂来蚀刻高介电常数绝缘材料的半导体设备的制造方法，其中，该半导体表面处理剂含有氟化合物、水溶性有机溶剂以及无机酸，剩余部分为水。根据本发明，能对在半导体设备制造的晶体管形成工序中使用的高介电常数绝缘材料进行选择性且高效地蚀刻，而且对难以蚀刻的高介电常数绝缘材料也能在短时间内容易地进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102027579B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980116681.5
申请日：2009-04-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、且使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅。
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公开(公告)号：CN101199043A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021432.4
申请日：2006-06-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/16 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/16 , C23F1/26 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。
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公开(公告)号：CN101884095B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880109890.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00539
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液，其特征在于，使用含有氢氧化季铵和氨基胍盐的水溶液，各向异性地溶解单晶硅，并且还提供使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，该蚀刻液和蚀刻方法在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件或半导体设备的制造工序的硅的蚀刻加工中，使以高蚀刻速度的加工成为可能。
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公开(公告)号：CN101884095A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880109890.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00539
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液，其特征在于，使用含有氢氧化季铵和氨基胍盐的水溶液，各向异性地溶解单晶硅，并且还提供使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，该蚀刻液和蚀刻方法在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件或半导体设备的制造工序的硅的蚀刻加工中，使以高蚀刻速度的加工成为可能。
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公开(公告)号：CN101199043B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680021432.4
申请日：2006-06-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/16 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/16 , C23F1/26 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。
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