公开(公告)号：CN107710417A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580080945.1

申请日：2015-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：在第1导电型的衬底的上表面侧形成第2导电型的层的工序；以及缓冲层形成工序，在该缓冲层形成工序中以使在后的离子注入工序的离子注入角度小于在先的离子注入工序的方式，实施多次将相对于该衬底的下表面的离子注入角度固定而在该衬底的下表面侧对第1导电型的杂质进行离子注入的离子注入工序，在该缓冲层形成工序中，以恒定的加速能量进行多次该离子注入工序。

公开(公告)号：CN105830220B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201380081607.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介 ,  金田和德 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

Abstract: 具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。

公开(公告)号：CN105074875A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380074352.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田和德 ,  凑忠玄 ,  川濑祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

公开(公告)号：CN105074875B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201380074352.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田和德 ,  凑忠玄 ,  川濑祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

公开(公告)号：CN105830220A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201380081607.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介 ,  金田和德 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

Abstract: 具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。

公开(公告)号：CN107710417B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201580080945.1

申请日：2015-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：在第1导电型的衬底的上表面侧形成第2导电型的层的工序；以及缓冲层形成工序，在该缓冲层形成工序中以使在后的离子注入工序的离子注入角度小于在先的离子注入工序的方式，实施多次将相对于该衬底的下表面的离子注入角度固定而在该衬底的下表面侧对第1导电型的杂质进行离子注入的离子注入工序，在该缓冲层形成工序中，以恒定的加速能量进行多次该离子注入工序。

公开(公告)号：CN104347381A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410360240.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  川濑祐介 ,  山下润一 ,  吉野学

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/02238

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。