公开(公告)号：CN112526313B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202010852061.6

申请日：2020-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  凑忠玄 ,  中谷贵洋

IPC: G01R31/265

Abstract: 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。

公开(公告)号：CN104377235A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410514446.6

申请日：2008-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 凑忠玄 ,  高野和丰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/745 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455

Abstract: 半导体衬底(1)在第一主表面具有槽(1b)。绝缘栅型场效应部包含形成在第一主表面的栅电极(12a)。电位固定用电极(12b)埋入槽(1b)内且具有在所述第一主表面上以宽度(w2)比槽(1b)的宽度(w1)大的方式伸出的伸出部。发射极形成在第一主表面上，与栅电极(12a)电绝缘且连接到电位固定用电极(12b)的伸出部的整个上表面上。这样可以得到能够通过抑制铝尖峰的产生而提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN104350602A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073607.1

申请日：2012-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种沟槽栅极型的IGBT及其制造方法，该沟槽栅极型的IGBT兼顾耐压的保持和低导通电压化，并且进行单极动作的电流密度范围较大。本发明的IGBT是漂移层由超级结构造形成，且在背面具有IGBT区域和FWD区域的SJ－RC－IGBT，其特征在于，第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm。

公开(公告)号：CN1279822A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN98811412.7

申请日：1998-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄 ,  上西明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底的第1主面上形成了多个槽5a,在槽5a间被夹住的区域内形成了p型扩散区2和n型扩散区3,以便沿槽的深度方向构成pn结。P型扩散区2具有从一方的槽5a的侧壁面扩散了p型杂质的杂质浓度分布,n型扩散区3具有从另一方的槽5a的侧壁面扩散了n型杂质的杂质浓度分布。在p型扩散区2和n型扩散区3的第2主面一侧形成了n+高浓度衬底区1。槽5a的从第1主面算起的深度Td比p型和n型扩散区2、3的从第1主面算起的深度Nd深了p型扩散区2内的p型杂质或n型扩散区3内的n型杂质的制造时的扩散长度L以上。由此,可得到高耐压、低导通电阻的半导体装置。

公开(公告)号：CN104350602B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280073607.1

申请日：2012-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明的目的在于提供一种沟槽栅极型的IGBT及其制造方法，该沟槽栅极型的IGBT兼顾耐压的保持和低导通电压化，并且进行单极动作的电流密度范围较大。本发明的IGBT是漂移层由超级结构造形成，且在背面具有IGBT区域和FWD区域的SJ－RC－IGBT，其特征在于，第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm。

公开(公告)号：CN102569354A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110287695.2

申请日：2011-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明的目的在于提供使耐压的保持和低导通电压化并存的沟槽栅型IGBT。本发明的IGBT具备：第1导电型的缓冲层（11）；在缓冲层（11）的第1主面上形成的第1漂移层；在所述第1漂移层上形成的第1的导电型的第2漂移层（3）；在第2漂移层（3）上形成的第2导电型的基极层（4）；在基极层（4）的表面选择性地形成的第1导电型的发射极层（5）；从发射极层（5）的表面起向第2漂移层（3）中贯通并隔着栅极绝缘膜（7）而埋入形成的栅极电极（8）；与发射极层（5）导通的发射极电极（10）；在缓冲层（11）的第2主面上形成的第2导电型的集电极层（12）；以及在集电极层（12）上形成的集电极电极（13），所述第1漂移层是第1导电型的第1层（1）和第2导电型的第2层（2）在水平方向反复的结构。

公开(公告)号：CN1226751A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98125384.9

申请日：1996-07-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个由一个p+集电区(1),一个n型缓冲区(3),一个n－区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n－区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样,一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN1142688A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN96102369.4

申请日：1996-07-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个由一个p+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN112526313A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010852061.6

申请日：2020-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  凑忠玄 ,  中谷贵洋

IPC: G01R31/265

Abstract: 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。

公开(公告)号：CN105830220B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201380081607.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介 ,  金田和德 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

Abstract: 具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。