公开(公告)号：CN119905472A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411474986.6

申请日：2024-10-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中野诚也 ,  滨田博也

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供能够改善短路耐量的半导体装置。本发明的半导体制造装置构成为具有：半导体基板，其在表面形成有半导体元件；表面电极，其形成于表面之上，与半导体元件连接；金属膜，其形成于表面电极之上；抑制膜，其形成于表面电极之上，对涂敷于金属膜之上的焊料的扩展进行抑制；以及导热膜，其在表面电极之上与金属膜及抑制膜相比形成在外周侧，该导热膜的膜厚比金属膜厚，导热率比抑制膜高。

公开(公告)号：CN119384878A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202280096984.0

申请日：2022-06-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨田博也 ,  大佐贺毅 ,  小西留依

IPC: H10D12/00 ,  H10D30/60

Abstract: 本公开涉及主电流在半导体基板的厚度方向上流过的功率用半导体装置，半导体基板包括：设置在半导体基板的中央部、且主电流流过的第1活性区域；以及设置在第1活性区域的外侧的第2活性区域，功率用半导体装置包括：设置在第1和第2活性区域上的第1主电极；以及设置于第1主电极相反侧的第2主电极，第2活性区域具有在第1方向上相对的第1两边以及在与所述第1方向正交的第2方向上相对的第2两边，所述第1活性区域中，在所述第2活性区域的所述第1两边间的第1长度和所述第2两边间的第2长度存在长短的情况下，距所述半导体基板的中心的距离设定为小于较短一方的长度的1/4的距离，在不存在长短的情况下，设定为小于任一个的长度的1/4的距离，第1活性区域的第1通电能力设定得比第2活性区域的第2通电能力要低。