公开(公告)号：CN117043937A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202180096066.3

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  荒木慎太郎 ,  小西留依

IPC: H01L23/40

Abstract: 提供低成本且散热性优异的半导体装置。半导体装置具有散热器、半导体元件、金属块、端子以及封装材料。半导体元件包含表面电极。半导体元件安装于散热器的上表面。金属块包含接合面和散热面。接合面与半导体元件的表面电极接合。散热面经由绝缘部件与散热器的上表面连接。金属块以跨过半导体元件的至少1个边的上方的方式设置。端子呈板形状。端子的第1端与金属块接合。端子的第2端位于与第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接。封装材料将散热器、半导体元件、金属块和端子的第1端封装。端子的第2端从封装材料露出。

公开(公告)号：CN119384878A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202280096984.0

申请日：2022-06-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨田博也 ,  大佐贺毅 ,  小西留依

IPC: H10D12/00 ,  H10D30/60

Abstract: 本公开涉及主电流在半导体基板的厚度方向上流过的功率用半导体装置，半导体基板包括：设置在半导体基板的中央部、且主电流流过的第1活性区域；以及设置在第1活性区域的外侧的第2活性区域，功率用半导体装置包括：设置在第1和第2活性区域上的第1主电极；以及设置于第1主电极相反侧的第2主电极，第2活性区域具有在第1方向上相对的第1两边以及在与所述第1方向正交的第2方向上相对的第2两边，所述第1活性区域中，在所述第2活性区域的所述第1两边间的第1长度和所述第2两边间的第2长度存在长短的情况下，距所述半导体基板的中心的距离设定为小于较短一方的长度的1/4的距离，在不存在长短的情况下，设定为小于任一个的长度的1/4的距离，第1活性区域的第1通电能力设定得比第2活性区域的第2通电能力要低。

公开(公告)号：CN117121197A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202180097061.2

申请日：2021-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西留依 ,  吉松直树 ,  荒木慎太郎

IPC: H01L23/58

Abstract: 电力用半导体装置(100)具有：电力用半导体芯片(1)，其是电力用半导体元件的芯片；温度感测二极管芯片(4)，其是在作为电力用半导体芯片(1)的主电极之一的表面电极(1a)之上的第1区域搭载的温度感测二极管的芯片；以及引线框(5)，其连接于表面电极(1a)之上的第2区域。在引线框(5)的与温度感测二极管芯片(4)相对的侧面设置有绝缘膜(5a)。