公开(公告)号：CN107533984B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

公开(公告)号：CN109616460B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201811152150.9

申请日：2018-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 熊田翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的目的在于提供能够使接合层和树脂的接合强度提高的技术。电力用半导体装置具有：配线部件(1)；半导体元件(2)；接合层(3)，其将配线部件和半导体元件接合；以及树脂(5)，其将配线部件(1)、半导体元件(2)及接合层(3)覆盖。接合层(3)包含第1接合层(31s)，该第1接合层(31s)与树脂(5)相邻地设置，该第1接合层具有由树脂(5)填充的空隙(31sh)。树脂(5)所包含的填料(5f)的最大宽度比第1接合层(31s)的空隙(31sh)的最小直径大。

公开(公告)号：CN107533984A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

公开(公告)号：CN109616460A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811152150.9

申请日：2018-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 熊田翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的目的在于提供能够使接合层和树脂的接合强度提高的技术。电力用半导体装置具有：配线部件(1)；半导体元件(2)；接合层(3)，其将配线部件和半导体元件接合；以及树脂(5)，其将配线部件(1)、半导体元件(2)及接合层(3)覆盖。接合层(3)包含第1接合层(31s)，该第1接合层(31s)与树脂(5)相邻地设置，该第1接合层具有由树脂(5)填充的空隙(31sh)。树脂(5)所包含的填料(5f)的最大宽度比第1接合层(31s)的空隙(31sh)的最小直径大。