公开(公告)号：CN114287056B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201980099831.X

申请日：2019-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉濑幸司 ,  玄田裕美 ,  巽裕章 ,  森田大辅

IPC: H01L23/473

Abstract: 散热器(3)在内部形成有供制冷剂流动的制冷剂流路(4)，该散热器(3)具有：导热板(31)，其具有配置半导体元件(2)的第1面(31a)和第2面(31b)；中继流路形成板(33)，其具有第3面(33a)和第4面(33b)；第1分隔壁(12)，其设置为与第2面(31b)和第3面(33a)接触；以及第1鳍片(13)，其设置为与第2面(31b)接触。制冷剂流路(4)包含第1流路(5)。在第1流路(5)中形成由第1分隔壁(12)隔开的多个第1分割区域(51)。在第1分割区域(51)中，多个第1鳍片(13)彼此隔开间隔地排列配置。将第1分隔壁(12)的至少一部分投影至第1面(31a)时的位置或将第1鳍片(13)的至少一部分投影至第1面(31a)时的位置与半导体元件(2)的中心部重叠。

公开(公告)号：CN110214364A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201880007204.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  南竹春彦 ,  巽裕章 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  C21D1/34 ,  G01K11/12

Abstract: 热处理装置(21)具备：振荡出激光(L)的激光振荡部(1)、保持被激光(L)照射的照射对象物(31)的工件台、将从激光振荡部(1)振荡出的激光(L)引导至照射对象物(31)的光学系统(2)、以及使光学系统(2)与照射对象物(31)的位置关系相对地变化的移动部。另外，热处理装置(21)具备：检测部(9)，检测激光(L)在照射对象物(31)的表面被反射后的第一反射光(R1)的功率；以及判定部(10)，基于由检测部(9)检测出的第一反射光(R1)的功率的检测值，判定在照射对象物(31)中被激光(L)照射的区域的表面温度有无变化。

公开(公告)号：CN116670825A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180089414.4

申请日：2021-12-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  伊波康太 ,  浅田晋助 ,  巽裕章

IPC: H01L23/40

Abstract: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属部件(2)、金属薄膜层(3)、焊料部(51)以及合金部(41)。金属薄膜层(3)覆盖金属部件(2)。金属薄膜层(3)包括第1区域(R1)。焊料部(51)将半导体元件(1)与金属薄膜层(3)的第1区域(R1)接合。合金部(41)被配置在比第1区域(R1)靠外侧的位置。合金部(41)是金属部件(2)与金属薄膜层(3)的合金。金属薄膜层(3)具有比金属部件(2)更高的针对焊料部(51)的浸润性。合金部(41)具有比金属薄膜层(3)更低的针对焊料部(51)的浸润性。

公开(公告)号：CN103703560A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036035.X

申请日：2012-07-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大津健嗣 ,  楠卓 ,  荒木健 ,  巽裕章

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。

公开(公告)号：CN107533984A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

公开(公告)号：CN103703560B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280036035.X

申请日：2012-07-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大津健嗣 ,  楠卓 ,  荒木健 ,  巽裕章

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。

公开(公告)号：CN114287056A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201980099831.X

申请日：2019-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉濑幸司 ,  玄田裕美 ,  巽裕章 ,  森田大辅

IPC: H01L23/473

Abstract: 散热器(3)在内部形成有供制冷剂流动的制冷剂流路(4)，该散热器(3)具有：导热板(31)，其具有配置半导体元件(2)的第1面(31a)和第2面(31b)；中继流路形成板(33)，其具有第3面(33a)和第4面(33b)；第1分隔壁(12)，其设置为与第2面(31b)和第3面(33b)接触；以及第1鳍片(13)，其设置为与第2面(31b)接触。制冷剂流路(4)包含第1流路(5)。在第1流路(5)中形成由第1分隔壁(12)隔开的多个第1分割区域(51)。在第1分割区域(51)中，多个第1鳍片(13)彼此隔开间隔地排列配置。将第1分隔壁(12)的至少一部分投影至第1面(31a)时的位置或将第1鳍片(13)的至少一部分投影至第1面(31a)时的位置与半导体元件(2)的中心部重叠。

公开(公告)号：CN111315518A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071556.6

申请日：2018-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅间晃司 ,  巽裕章 ,  山口博

IPC: B23K1/19 ,  B23K31/02 ,  B23K35/28 ,  C22C21/00 ,  B23K103/20

Abstract: 本发明涉及钎焊接合体、钎焊方法和钎料。使钎料(3)存在于铝系材料与被Ni镀敷的铁系材料之间。钎料(3)具有：将Al-Si-Ni系合金层(10)与Al层(11)经由助熔剂层(15)而贴合的结构。使Al-Si-Ni系合金层(10)为铝系材料侧，使Al层(11)为铁系材料侧，形成钎焊用的结构体。通过将结构体在炉中加热、然后冷却，得到作为阻隔层的Ni镀敷残存、形成有Al-Ni层的钎焊接合体。

公开(公告)号：CN110520974A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880021844.0

申请日：2018-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00

Abstract: 向半导体元件或导体部件中的任意一方之上供给包括包含第一金属的第一粒子、包含熔点比所述第一金属低的第二金属的第二粒子和填充树脂的接合材料，在供给的所述接合材料的表面形成空隙。在形成有所述空隙的所述接合材料之上载置并按压所述导体部件或者所述半导体元件中的任意另一方，使偏分布于所述接合材料的表面的所述填充树脂移动至所述空隙，在接合温度下进行加热。据此，能够抑制填充树脂的偏分布，并通过利用包含第一金属和第二金属的金属间化合物使第一粒子彼此结合的连接构造将半导体元件和导体部件可靠地接合，能够得到接合可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN107533984B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。