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公开(公告)号：CN118383026A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202180104951.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04N7/18
Abstract: 热图像取得部(2)拍摄阳台(1)来取得热图像。设定部(11)设定热图像中的与阳台(1)的外侧对应的屋外区域(15)和与阳台(1)的内部对应的阳台内区域(16)。热源检测部(9)在热图像中检测热源(14)。闯入判定部(12)当在热图像中具有阈值以上的像素数和温度的热源(14)的中心位置从屋外区域(15)向阳台内区域(16)移动时判定为“有闯入”。判定结果输出部(13)输出基于闯入判定部(12)的判定结果。由此，在监控有无向阳台的闯入的防犯系统中能够实施判定装置的小型化而减少耗电。
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公开(公告)号：CN1924603B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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公开(公告)号：CN115917761B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202080102395.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 红外线传感器(100)具备第1半导体基板(1)、第2半导体基板(2)、密封框(3)和第1连接部(4)。第1半导体基板(1)包含第1主面(1a)和红外线检测元件(11)。第2半导体基板(2)包含第2主面(2a)和信号处理电路(21)。密封框(3)与第1主面(1a)、红外线检测元件(11)和第2主面(2a)包围内部空间(IS)。第1连接部(4)将红外线检测元件(11)和信号处理电路(21)电连接。内部空间(IS)通过第1主面(1a)、红外线检测元件(11)、第2主面(2a)和密封框(3)被密封为密闭状态。密封框(3)和第1连接部(4)各自被夹入到第1主面(1a)和第2主面(2a)之间。
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公开(公告)号：CN117956965A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180102236.4
申请日：2021-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在本公开的看护系统及看护方法中，热图像取得部(3)安装于在被护理人员(1)躺在床(2)上的情况下被护理人员(1)的头所在一侧的壁(4)或顶棚(5)，从斜上方对床(2)及其周围进行拍摄而取得热图像。基准设定部(12)设定热图像中的与床(2)的左端和右端对应的2条基准线(8、9)、和用于对被护理人员的起床进行判定的基准高度(10)。热源检测部(13)对热图像中的热源的块(11)进行检测。状态判定部(14)根据由基准线(8、9)和基准高度(10)包围起来的安全区域(15)与热源的块(11)的位置关系，来判定被护理人员(1)的状态。判定结果输出部(7)输出状态判定部(14)的判定结果。
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公开(公告)号：CN1918477A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1940586B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN100541222C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480041867.6
申请日：2004-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
Abstract: 一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。
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公开(公告)号：CN115917761A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202080102395.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/33
Abstract: 红外线传感器(100)具备第1半导体基板(1)、第2半导体基板(2)、密封框(3)和第1连接部(4)。第1半导体基板(1)包含第1主面(1a)和红外线检测元件(11)。第2半导体基板(2)包含第2主面(2a)和信号处理电路(21)。密封框(3)与第1主面(1a)、红外线检测元件(11)和第2主面(2a)包围内部空间(IS)。第1连接部(4)将红外线检测元件(11)和信号处理电路(21)电连接。内部空间(IS)通过第1主面(1a)、红外线检测元件(11)、第2主面(2a)和密封框(3)被密封为密闭状态。密封框(3)和第1连接部(4)各自被夹入到第1主面(1a)和第2主面(2a)之间。
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公开(公告)号：CN1940586A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610084417.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00
Abstract: 提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
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公开(公告)号：CN1924603A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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