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公开(公告)号：CN119730422A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411924342.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种单电极双光敏区四象限PIN探测器，属于半导体光电传感器芯片领域。该探测器包括衬底、缓冲层、吸收层以及位于吸收层表面且呈四象限分布的第一和第二PIN型光电二极管。各象限的第一PIN型光电二极管呈扇环形，第二PIN型光电二极管呈扇形；扇环形的第一PIN型光电二极管分布在扇形的第二PIN型光电二极管的外侧。在各象限间隔中设有金属走线，用于连接同一象限内的第一和第二PIN型光电二极管，实现一个象限内的第一和第二PIN型光电二极管共用一个P电极，同时实现各象限间隔挡光和增强探测器中心区域电场。本发明可兼容兼容大、小双光斑的工作模式，节省了卫星载荷、功耗，在卫星载荷应用方面具有显著的优势。
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公开(公告)号：CN119698099A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311557701.0
申请日：2023-11-21
Applicant: 台亚半导体股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/40 , H10F39/10 , A61B5/1455
Abstract: 本发明涉及一种非侵入式血糖检测装置及其制造方法。具体地，本发明提供一种非侵入式血糖检测装置制造方法，包括以下步骤：提供基板；利用挡光墙材料执行立体成型工艺以于基板上形成至少一挡光墙；于基板上设置发光元件及收光元件，其中通过至少一挡光墙隔开发光元件及收光元件；于基板上填充封装材料并经压模成型后以形成埋设发光元件及收光元件的封装结构；以及设置透明盖板于封装结构及至少一挡光墙上。
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公开(公告)号：CN119317207B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411810731.2
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种可宽光谱广角探测的混合堆叠超复眼芯片及制备方法，该芯片将2.5D平面外架构超仿生复眼超表面、连续域束缚态效应与芯片混合堆叠读出集成模块相结合，具有大面积的2.5D面外超表面架构。这种结构集成了单层Gr来模拟昆虫的复眼。芯片上的整个平面级探测区域实现了相当于曲面的广角检测，同时通过连续域束缚态效应将1550 nm通信频段的吸收提高到接近100%（300‑1600 nm）。本发明还集成了TSV技术用于晶圆级制造，并设计读出集成电路，实现了基于堆叠集成的超仿生复眼芯片。本发明不仅实现了平面芯片中的广角检测，而且拓宽了硅基芯片的检测范围。
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公开(公告)号：CN116845121B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310896441.3
申请日：2023-07-20
Applicant: 深圳阜时科技有限公司
IPC: H10F77/14 , H10F71/00 , H10F30/225 , H10F39/10
Abstract: 本申请提供了一种光电转换器件，该光电转换器件包括：半导体基材；P型掺杂区和/或N型掺杂区，设置于所述半导体基材内，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；或者所述半导体基材分别和P型掺杂区或N型掺杂区构成的PN结形成对应的耗尽区；耗尽区调节结构，设置于所述半导体基材内，用于调整所述耗尽区的大小。本申请还提供一种包括所述光电转换器件的光电感测装置及所述光电转换器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN119630082A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411898479.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 中科纳米张家港化合物半导体研究所
IPC: H10F39/10 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种光电传感器及其制造方法，包括集成电路，所述集成电路包括集成电路主体以及形成于所述集成电路主体表面的布线层；所述布线层上依次垂直堆叠有混合键合层、光电探测器层以及钝化层；制造方法包括以下步骤：S1、形成光电探测器层；S2、形成电介质材料对接层；S3、形成键合材料层；S4、形成一阶通孔与二阶通孔；S5、实现光电探测器层另一面与布线层的电学连接；S6、形成钝化层；S7、形成外接电极。本发明通过将传感器探测材料与集成电路堆叠设计，可减少引线长度、提升抗电磁干扰能力、减少封装体尺寸，通过半导体工艺提升堆叠的集成度，通过钝化层提升传感器对恶劣工况的耐受能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630081A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411750368.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器。其中平板探测器基板包括：衬底基板；形成在衬底基板上的薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管远离衬底基板上一侧的光电二极管；形成在第二电极远离衬底基板一侧的第一层间绝缘层，第一层间绝缘层上形成有暴露出所述第二电极的至少一个第一过孔；覆盖至少一个第一过孔的阻挡层，阻挡层与所述第一过孔底部的第二电极电连接；形成在阻挡层远离第二电极一侧的传输线路，所述传输线路与所述阻挡层电连接。本申请提供的技术方案，解决了在平板探测器基板的制备过程中，形成过孔时容易导致产品出现不良的问题。
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公开(公告)号：CN111048533B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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公开(公告)号：CN119521901A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411443291.1
申请日：2024-10-16
Applicant: 华南师范大学
IPC: H10H29/10 , H10H29/01 , H10F39/10 , H10F77/30 , H10H20/812 , H10H20/814 , H10H20/816 , H10H20/841
Abstract: 本发明属于光通信芯片的技术领域，具体涉及一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法。将光发射器、光接收器和驱动的功能集成到一个芯片中，发射端发出的光耦合进入光波导并被光电探测器检测，光信号转化为电信号，完成芯片内的信息传输，无需两套光发射器和光接收器即可构建双向光通信链路；采用DBR布拉格反射层可将各个方向的出射光反射回直波导区波导，使其沿直波导区波导传输至接收端，通过设计DBR的材料与周期，可增加反射约70%的出射光，提高探测的准确度；集成HEMT驱动减小了整体电路的体积和复杂性，HEMT在高电流下仍能保持良好的线性性能，减少失真，确保LED光输出的稳定性。
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公开(公告)号：CN115188776B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110359483.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法，本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法，通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度，简化测试过程，同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。
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公开(公告)号：CN119404613A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048353.6
申请日：2023-07-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H10F39/10 , H01J37/244
Abstract: 公开了用于制造用于带电粒子束装置中的带电粒子检测器的衬底的系统和方法。该衬底可以包括电荷感测元件，该电荷感测元件形成在衬底的第一表面上并且被配置为检测源自样品的带电粒子；以及多个晶体管，该多个晶体管形成在衬底的第二表面的第一区域中，该第二表面与第一表面相对，其中多个晶体管中的每个晶体管的顶部表面与第一区域的顶部表面和衬底的第二表面共面。
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