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公开(公告)号：CN115443532B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080099260.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置(1)具有功率模块部(200)、粘合片(6)、支撑构件(7)和防流动框(8)。粘合片(6)与功率模块部(200)粘合。支撑构件(7)隔着粘合片(6)与功率模块部(200)连接。防流动框(8)被夹在功率模块部(200)与支撑构件(7)之间，并且配置于粘合片(6)的周围。粘合片(6)具有与防流动框(8)的内周面(18)相接的外周面(6c)。外周面(6c)上的内压的最大值除以内压的最小值所得的值为10以下。
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公开(公告)号：CN110800104A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880038597.5
申请日：2018-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够在抑制制造成本的增大的同时，未然地探测半导体模块的破坏的半导体模块。半导体模块(10000)具备半导体元件(1)、电路基板(3)、电阻体(5)、第1布线部件(4)以及探测部(12)。电路基板(3)包括电路图案(301b)。电阻体(5)与电路图案(301b)的表面连接。第1布线部件(4)直接连接半导体元件(1)和电阻体(5)，流过从半导体元件(1)流向电路图案(301b)的电流的至少一部分。探测部(12)探测电阻体(5)中的电压下降值的变化以及电阻体(5)中的电流值的变化的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN108780792A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019910.6
申请日：2017-02-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/33 , H01L2224/40225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 功率模块(1)具备：包括第一电极(44)的第一功率半导体元件(40)、包括第一收容部(24、27)的树脂框架(20)、以及第一引线框架(50)。第一引线框架(50)具有与第一电极(44)相向的第一主面(53)，并且与第一电极(44)电连接以及机械连接。第一收容部(24、27)与第一引线框架(50)的第一主面(53)相向并接收第一引线框架(50)的一部分。因此，功率模块(1)具有高可靠性并且可以小型化。
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公开(公告)号：CN102741659B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080062967.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/244
CPC classification number: G01D5/2448 , G01D1/00 , G01R1/00 , H02P1/00 , H02P2201/00 , H02P2203/00
Abstract: 差动放大器（21）根据来自旋转检测电路（30）的旋转检测信号（Vde）和偏置信号（Voff），生成偏置校正信号（Vadj）。比较器（28）通过将偏置校正信号（Vadj）与阈值电压（Vth1）进行比较，输出表示比较结果的2值化信号（Vbi）。平均值信号生成电路（2）生成表示偏置校正信号（Vadj）的平均值的平均值信号（Vav）。偏置信号生成电路（3）以使平均值信号（Vav）的信号电压具有阈值电压（Vc1）与阈值电压（Vc2）之间的电压值的方式，生成偏置信号（Voff）。
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公开(公告)号：CN1924603B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200610128852.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643661B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201780046968.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电
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公开(公告)号：CN114258585A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201980099503.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 获得在树脂绝缘构件的外周部处抑制树脂从树脂绝缘构件泄漏并使可靠性提高的半导体装置。半导体装置具备：模块部(2)；树脂绝缘构件(12)，与模块部(2)粘接；冷却部(13)，经由树脂绝缘构件(12)而与模块部(2)连接；以及流动防止构件(11)，被模块部(2)和冷却部(13)夹持，配置在树脂绝缘构件(12)的周围，相比树脂绝缘构件(12)容易压缩变形。
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公开(公告)号：CN104246445B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280072672.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01B7/003 , G01B7/30 , G01D5/2451
Abstract: 本发明降低磁式位置检测装置的信号失真，得到高精度的准确的位置信息。磁式位置检测装置(100)包括磁性移动体(10)、桥接电路(20)、校正电路(30)和检测电路(40)。磁性移动体(10)以N极和S极交替出现的方式进行磁化，具有N极-S极之间的距离固定的区域。桥接电路(20)由第1、第2、第3、第4磁场检测部(2R1、2R2、2R3、2R4)构成。校正电路(30)由第5和第6磁场检测部(2R5、2R6)构成。检测电路(40)基于桥接电路的差动输出Vout检测出磁性移动体(10)的位置。
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公开(公告)号：CN102741661B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080062969.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01D5/245
CPC classification number: G01D5/147 , G01D5/145 , G01D5/24438 , G01R29/12 , G01R33/09
Abstract: 磁式位置检测装置（10）具备磁铁（4）、形成在沿着基板（3）的假想平面上的第1~第4磁电转换元件（1A~1D）、以及由磁性体构成的磁通导向器（5）。磁通导向器（5）包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部（9B、9A）。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时，在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器（5）中设置了凹状地凹陷的中央部（MP）。在从Z轴方向观察时，第1以及第4磁电转换元件（1A、1D）以覆盖中央部（MP）的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第1突出部（9B）与中央部（MP）之间。在从Z轴方向观察时，第2磁电转换元件（1B）设置于第2突出部（9A）与中央部（MP）之间。
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公开(公告)号：CN102788605A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210124311.X
申请日：2012-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01D11/245
Abstract: 一种传感器装置，能容易地确保从检测部延伸出的金属端子相对于模具的位置精度。所述传感器装置(10)包括：检测部(2)；从检测部(2)传递出检测信号的多个金属端子(11、12、13)；以及将检测部(2)和金属端子(11、12、13)支承成一体，并由树脂成型而成的外壳部(6)，多个金属端子(11、12、13)的前端部(11a、12a、13a)构成连接器端子，且多个金属端子(11、12、13)以从所述连接器端子的轴向观察至少有一部分重叠的方式配置，在金属端子(11、12、13)上设置有朝与所述连接器端子的轴向不同的方向突出的突出部(11c、12c)。
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