公开(公告)号：CN1197133C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02130351.7

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 上浦有纪 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  泽田真人 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。

公开(公告)号：CN1427458A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02130351.7

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 上浦有纪 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  泽田真人 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。

公开(公告)号：CN1430248A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02130352.5

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  上浦有纪 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明的课题是可以用HDP－CVD(高密度等离子体化学汽相淀积)法毫无问题地在密集配置的布线间的间隙中充填绝缘膜的半导体器件的制造方法。该制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件的工序；为了对上述半导体元件进行电连接，在半导体元件上并排地形成附有上部保护层(4)的多条布线(3)的工序；用HDP－CVD以外的CVD法，在上述布线的侧面和布线之间的间隙底面形成保护绝缘膜(5)的工序；以及用HDP－CVD法形成绝缘膜(6)，以便覆盖上述保护绝缘膜，并且掩埋被保护绝缘膜覆盖的布线之间的间隙的工序。

公开(公告)号：CN106462015B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201580027053.5

申请日：2015-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山县有辅 ,  岩川学 ,  山下敏广 ,  小田耕治 ,  井上和式

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/137 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/123

Abstract: 本发明的液晶显示装置具有设置于支撑基板(10)之上的电极构成层(7A)，该电极构成层(7A)包括具有交替地配置的多个电极区域(RE)和多个绝缘体区域(RI)的条状区域(SRA)，对用一种材料构成的层部分性地进行还原或者氧化处理来控制导电性，从而制作所述电极区域(RE)以及所述绝缘体区域(RI)。而且，所述电极区域(RE)包含于液晶显示装置的像素电极以及对置电极中的至少任意电极。

公开(公告)号：CN107104153A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710086113.1

申请日：2017-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的是提供能够提高二极管电阻且实现窄边框化的非线性元件及阵列基板。本发明所涉及的非线性元件的特征是，具有：第1绝缘膜(5)，其形成为将遮光体(30)覆盖；氧化物半导体膜(31)，其形成于第1绝缘膜之上，俯视观察时与遮光体重叠；源极电极(7)及漏极电极(10)，它们形成为在氧化物半导体膜之上具有彼此分离的分离部分；第2绝缘膜(11)，其形成为将氧化物半导体膜、源极电极以及漏极电极覆盖；以及第1背电极(24)，其形成于第3绝缘膜(12)之上，经由第1接触孔(13)与源极配线(9)连接，第1背电极(24)形成为，俯视观察时与源极电极(7)和氧化物半导体膜(31)之上的分离部分的一部分重叠。

公开(公告)号：CN101465296B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810178050.3

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  中川直纪 ,  大野岳 ,  内田祐介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH3、N2、SiH4构成的原料气体、和H2或由H2与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH3和SiH4的流量比(NH3/SiH4)为4以下进行成膜。

公开(公告)号：CN104102059B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410131136.6

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  井上和式 ,  石贺展昭 ,  宫川修

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。

公开(公告)号：CN106462015A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580027053.5

申请日：2015-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山县有辅 ,  岩川学 ,  山下敏广 ,  小田耕治 ,  井上和式

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/137 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/123

Abstract: 本发明的液晶显示装置具有设置于支撑基板(10)之上的电极构成层(7A)，该电极构成层(7A)包括具有交替地配置的多个电极区域(RE)和多个绝缘体区域(RI)的条状区域(SRA)，对用一种材料构成的层部分性地进行还原或者氧化处理来控制导电性，从而制作所述电极区域(RE)以及所述绝缘体区域(RI)。而且，所述电极区域(RE)包含于液晶显示装置的像素电极以及对置电极中的至少任意电极。

公开(公告)号：CN101611345A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004975.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  小田耕治 ,  中川直纪 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/06 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。

公开(公告)号：CN108027541B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201680052503.0

申请日：2016-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  今村谦 ,  津村直树 ,  小田耕治

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。