公开(公告)号：CN1197133C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02130351.7

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 上浦有纪 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  泽田真人 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。

公开(公告)号：CN1427458A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02130351.7

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 上浦有纪 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  泽田真人 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。

公开(公告)号：CN1430248A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02130352.5

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  上浦有纪 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明的课题是可以用HDP－CVD(高密度等离子体化学汽相淀积)法毫无问题地在密集配置的布线间的间隙中充填绝缘膜的半导体器件的制造方法。该制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件的工序；为了对上述半导体元件进行电连接，在半导体元件上并排地形成附有上部保护层(4)的多条布线(3)的工序；用HDP－CVD以外的CVD法，在上述布线的侧面和布线之间的间隙底面形成保护绝缘膜(5)的工序；以及用HDP－CVD法形成绝缘膜(6)，以便覆盖上述保护绝缘膜，并且掩埋被保护绝缘膜覆盖的布线之间的间隙的工序。

公开(公告)号：CN1467812A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03108327.7

申请日：2003-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  飞松博 ,  林山吉生

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76245

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置与其制造方法，旨在提供具有以没有空隙等缺陷的膜质良好的绝缘膜填充细沟的内部而显示良好隔离特性的元件隔离结构的半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括半导体衬底(1)和隔离绝缘体(2a～2c)。其中，半导体衬底(1)的主表面上有沟(17a～17c)形成，隔离绝缘体(2a～2c)用热氧化法形成于沟的内部，将半导体衬底(1)的主表面上的元件形成区域隔离。所述隔离绝缘体(2a～2c)是多个氧化膜(3a～3c、4a～4c、5a～5c、6b、7b)的叠层体。